锰掺杂对四元系压电陶瓷压电性能的影响.pdfVIP

第27 卷 第6 期 昆　明　理　工　大　学　学　报 Vol .27 　No .6 2002 年 12 月 Jou nal of Kunming Unive sity of Science and Technology Dec.2002 锰掺杂对四元系压电陶瓷压电性能的影响 杜景红, 孙加林, 史庆南, 严继康 (昆明理工大学 材料与冶金工程学院, 云南 昆明　650093) 摘要:采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷(PZN-PMS-PZT-γMnO ).考 2 察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的压电性能的影响, 包括:居里温度(Tc)、机电耦合系数(kp )、 压电常数(d 33 )和机械品质因素(Qm ).由于内偏置场的影响, 居里温度 Tc 随锰含量的增加而增 加.kp 和d 33 随Mn 含量的增加而减小;而 Qm 表现出较复杂的变化规律