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第 44卷 第 1期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vbl_44 No．1
2015年1月 JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina Jan．2015
SchottkyBarrierDiodeBasedonSuper-JunctionStructure
MAKui，YANGFa—shun，andFU Xing—hua
(DepartmentofElectronics，GuizhouUniversity；GuizhouProvincialKeyLabforMicro-Nano-ElecrtonicsandSoftware Guiynag 550025)
Abstract Thecontradictionbetweenhigherreversebreakdownvoltageandlowerconductionresistanceis
importantforpowersemiconductordevices．Using SuperJun ction structureasthevolatge suppo~ 1ayercan
wekaenthiscontradiction．InthisPaper，asuper-junctionSchottkybarrierdiode(SJ．SBD1，inwhichaSJstructure
wasusedasthevoltagesupport layer。wasdesignedandfabricated．TheSJlayerwhichiscomposedofalternant
P—pillarandN—pillra wasformedthroughofurtimesN—typeepitaxyandofur timesP—typeimplant．SJ．SBD and
rtaditionalSBD W ith hte samethicknessofdriftlayerwere implemented．Andhteimpurity concenrtation of
P-pillra nadN-pillra inSJlayerwashtesameasthatofhtedriftlayerinSBD．Thetestedresultsshowedthatthe
maximum reversebrekadownvoltagesrael10V ofr仃aditionalSBD and229V ofrSJ—SBD．Itisindicatedthat
usingtheSJstructureashtedriftlayercouldincreasehtereversebreakdown voltageandreduce也econduction
resistanceobviously．Andhtebrekadown volatgeOfSJ—SBD washtemaximalwhentotalchrageinN．pillarand
P-pillarwasequa1．
Keywords breakdown voltage； conductionresistance； SchoRkybarrierdiodes； super：iunction
基于超结结构的肖特基势垒二极管
马 奎，杨发顺，傅兴华
(贵州大学电子科学系；贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳 550025)
【摘要】在功率半导体器件中，高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之 间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一，
选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该丈设计和实现 了一种超结肖特基二极
管，其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面，选用成熟的单步微电子工艺，通过4次N型外
延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析 ，设计传统肖特基二极管和超结 肖特基二极管的电压支持层厚度一
致，且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击
穿电压为l10
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