不同MgO掺杂比对Mgx Zn1-xO靶材性能的影响.pdfVIP

第32卷 第 1期 深圳大学学报理工版 V0l_32 No．1 2015年 1月 JOURNALOFSHENZHENUNIVERSITY SCIENCEANDENGINEERING Jan．2015 【材料科学 ／MaterialsScience】 不同MgO掺杂比对 MgxZn．xO靶材性能的影响 高庆庆 ，张忠健 ，皮陈炳 ，蔡雪贤 ，尚福亮 ，朱德亮 ，杨海涛 1)深圳大学材料学院，深圳市特种功能材料重点实验室 ，深圳陶瓷制备先进技术工程实验室，深圳 518060； 2)株洲硬质合金集团有限公司，硬质合金国家重点实验室，湖南株洲412000 摘 要：用传统常压固相烧结法，制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材，研究不同MgO含量及烧结温度 对MgZn O陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响．通过x射线衍射仪 (X．raydif- fraction，XRD)测定靶材相结构，扫描式 电子显微镜 (scanningelectronmicroscope，SEM)观察靶材的断 面形貌，万能实验机测量靶材的抗弯强度 ，维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度 ，阿基米德排水法测量靶 材密度 ，四探针法测量靶材导电性能，对MgZn O靶材的性能进行 了表征，分析了MgZn O陶瓷靶材的 烧结机理．结果表明，MgZn O靶材的最佳烧结温度随着MgO含量的增加有所提高．MgO的掺杂比为 = 0．12时，靶材的最佳烧结温度是 1450℃；掺杂比为 =0．20时，靶材的最佳烧结温度约为 1500qC．相 同 烧结温度下，随着MgO掺杂}匕的增加，靶材的致密性增大；靶材抗弯强度先升后降，掺杂}匕为 ：0．12时 达到最大值，为94．56MPa．靶材硬度随着Mg含量的增加渐增，在 1450oC烧结，掺杂比为O时维氏硬度 为 152．000N／ram ，掺杂比为 =0．40时维氏硬度为364．045N／mm ．靶材的导电性随着MgO掺杂 比的增 加呈渐减趋势，掺杂比为0时，方块电阻为 819．36Q；掺杂比为 =0．40时，方块 电阻增至30．00MQ． 关键词：材料加工；粉末冶金；氧化锌 ；氧锌镁 ；陶瓷靶材；烧结；掺杂比；力学性能 中图分类号 ：TF125；TM283 文献标志码 ：A doi：10．3724／SP．J．1249．2015．01082 EffectofM gO dopingratioon thepropertiesof M Zn1O targets GaoQingqing，ZhangZhongjian，PiChenbing，CaiXuexian， ShangFuliang ，ZhuDeliang ，andYangHaitao 1)CollegeofMaterialsScienceandEngineering，KeyLaboratoryofFunctionalMaterialsofShenzhen， ShenzhenEngineeringLaboratoryofAdvancedTechnologyforCeramics，ShenzhenUniversity，Shenzhen518060，P．R．China 2)ZhuzhouCementedCarbideGroupCo．Ltd，StateKeyLabofCementedCarbide，Zhuzhou412000，HunanProvince，P．R．China Abstract：MgZn10ceramictargetswerepreparedbyusingtraditionalsolid-phasesinteringmethod，andtheeffects ofdifferentMgO dopingratiosandsinteringtemperaturesontheirmierostructure，mechanicalproperties，densityand electricalpropertieswerestudied．TheMgZn1Otargetsperformancewerecharacterizedthroughspecificanalys