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第五章 存储器系统 重点 存储器的基本工作原理 存储器的扩展技术 根据给出的存储器系统设计图，写出使用范围 根据给出的范围，画出存储器系统的译码电路 5.1.1存储器的一般概念 存储器是计算机中的记忆设备，用来存放程序和数据。 存储器有两种操作： 读操作－从存储器中读出信息（非破坏性操作）。 写操作－把信息写入存储器（破坏性操作）。 5·1·2存储器的分类 内部存储器 由RAM和ROM组成，是计算机的组成部分之一，用来存放当前运行所需要的程序和数据。CPU可以直接对其进行访问。 主存容量小，存取速度快。 外部存储器 属于CPU的外部设备，用来存放系统程序或当前不参加运算的数据和程序。 CPU不能对其直接访问，如磁盘、磁带 。 存取速度相对比较慢，但容量大 ，价格低。 1 存储元 存储器由若干个存储元构成。一个存储元（电容或双稳态电路）存储一位二进制信息。 组成存储元的物理器件：电容、双稳态电路等 8个存储元称1个字节。存储器中包含字节的总数叫存储容量。如64KB，1MB，1GB等。 2 半导体存储器及其分类 1、随机存储器（RAM ） 特点： 用来存放当前运行的程序和数据。 数据的输入输出与读取的时间和位置无关。 读出不破坏原来数据。写入取代原有内容。 断电则丢失所有内容。 按其制造工艺可以分为双极型半导体RAM和金属氧化物半导体（MOS）RAM。 2·只读存储器ROM 特点： 具有非易失性，掉电不丢失信息。 结构简单，位密度比RAM高。 只能读出，不能用通常方法写入。 用途 存放常驻内存监控程序、BIOS程序。 存放某种语言的解释程序。 根据制造工艺分ROM、PROM、EPROM、E2PROM。 只读存储器分类 掩模式只读存储器（ROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除的PROM 5·1·3 存储器的主要技术指标 存储容量 存储单元个数×每存储单元位数 8K ×8bit（8KB），256K ×1bit 存储器的存取时间和存取周期 CPU读写存储器时间存储器的额定存取时间 存取周期≥存取时间 可靠性 MTBF为500万~1亿小时 功耗 5.2 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM主要用来存放当前运行的程序、各种输入/输出数据、中间运算结果及堆栈等，其存储的内容既可随时读出，也可随时写入和修改，掉电后内容会全部丢失。 5.2.1静态随机存储器 1、6264存储芯片 2、6264的工作过程写 写入数据的过程 将单元地址送到芯片的地址线A0-A12 写入的数据送数据线 ＃CS1和CS2有效，＃WE有效，#OE任意 数据写到指定单元 6264的工作过程读 读入数据的过程 将单元的地址送到芯片的地址线A0-A12 #CS1和CS2同时有效，#WE＝1 #OE=0 选中单元内容从数据线读出 3、SRAM芯片应用 将SRAM芯片与系统连接：控制信号和数据信号:CS1,CS2,OE,WE,D0-D7 地址信号:A0~A19 片选信号: A13~A19 由高位地址信号及控制信号经译码电路产生。 用高位地址信号确定芯片在整个内存中的地址范围。 片内译码:A0-A12 由存储芯片内部完成 。 用低位地址信号经片内译码选择一个存储单元。 ⑴存储器的地址译码（片选）方式 全地址译码 以8K×8位芯片SRAM6264为例 A13-A19为138译码器的输入（片选信号） A0-A12与6264的地址信号相连（片内地址） 译码电路的构成并不唯一。 例 ⑵部分地址译码 用部分高地址译码产生片选信号 地址产生重叠，出现不唯一性 例 5·2·2动态随机存储器 由MOS管T1和一个与源极相连的电容C组成。 1. 2164A芯片引脚功能 2164A是64K×1位DRAM芯片。 A0～A7复用地址输入线 地址信号分两次输入，即行地址和列地址。 芯片内部单元是按矩阵排列的，通过片内对行和列信号译码，确定一个单元。 2164A芯片引脚功能 片内由256行×256列共同决定64K个单元。 Din数据输入端 Dout数据输出端 #RAS行地址锁存信号 #CAS列地址锁存信号 #WE 写允许信号 5.2.3存储器扩展技术 任何存储芯片的存储容量都是有限的，要构成一定容量的内存，需要多个存储芯片进行组合，称为存储器的扩展。 扩展解决的问题有： 位扩展 字扩展 字位扩展 1·位扩展（增加位数） 增加每个存储单元的位数 位扩展总的地址单元数不变，每个单元中的位数增加。 例： 用2片4K×4位存储芯片，经位扩展构成4KB的存储器,1片存高4位，1片存低4位。 2·字扩展（增加存储空间） 例：用2K×8位的存储芯片，组成4K×8位的存储器。 位数已满足要求，存储容量4K,需要2片 将每个芯片的地址线、数据线、读/写信号按