- 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟.pdf
( B 辑)
第32 卷 第6 期 SCIENCE IN CHINA ( Series B ) 2002 年 12 月
硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟*
苑世领 蔡政亭 ** 肖 莉 徐桂英 刘永军
(山东大学 理论化学研究所; 胶体与界面化学教育部重点实验室, 济南 250100)
摘要 用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况. 从中发现:
十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50%, (8 8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面
的空间排列. 同时讨论了不同取代方式对单层膜的影响, 并比较了酯基和甲基终止的
硅表面单层膜的空间排列方式, 模拟结果与实验测量基本吻合. 结果表明: 分子模拟方
法可以作为实验手段的一种辅助工具, 在分子水平上为实验提供理论支持和微观信息.
关键词 硅表面烷烃单层膜 分子模拟 分子力学
在氢终止的硅表面上构筑烷烃单层膜, 因其独特的性质和广泛的应用前景引起了人们的
[1~5] [6~ 10]
关注 . 许多化学家 用 Grignard 试剂 紫外光照射等合成方法, 通过烯烃在氢终止的硅
表面上成功的构筑了单层膜; 同时用接触角测量 X 光散射 光电子能谱 原子力显微镜等
[8~ 10]
实验表征方法对硅表面单层膜的形态从宏观上进行了描述 . 上述研究认为硅表面的有机
改性单层膜是具有一定倾斜角度 致密和高度有序的单层(densely packed, well-ordered
monolayer). 但是对这种硅表面单层膜的结构, 人们还缺乏分子水平上的了解. 换句话说, 上
述实验表征方法仅仅提供了单层膜的整体宏观性质, 而不能更详细地描述多个甚至单个分子
在硅表面的空间排列情况. 最近出现的分子模拟技术可以通过二维重复单元格子提供固体表
[11]
面单层膜在分子或者原子水平上的结构信息 . 从 2000 年开始, 用分子力学或者量子力学计
算研究硅(111)表面有机单层膜的性质引起了人们的重视[12~ 14]. 这种分子模拟方法不仅从理论
上否定了一些由实验得出的粗糙结论, 如: 对十八碳的烷烃在硅表面的覆盖率只能是 50%左
右(分子模拟计算), 不可能是 97% 的取代(实验估计), 而且也提供了一些分子水平上的排列信
息, 如烷烃链的倾斜角度和单层膜厚度问题. 本文将通过分子模拟方法, 对文献[10]中硅表面
十二烷烃单层膜的排列和一些实验结论, 提供了分子水平上的微观信息和理论支持.
1 计算方法
首先制作 0.3840 nm 0.3840 nm 2.8000 nm 的空间单元格子. 这样的单元格子包括硅
(111)晶体中最上面的4 层硅原子, 和一个垂直硅面与第一层硅原子以共价键相连的烷烃链(见
图1). 然后在x , y 轴方向上把此单元格子, 通过复制得到所要研究体系的初始构型, 扩展形成
一维直线型(如 1 2, 1 3)或者二维平面型(如2 4, 4 8) 的模拟对象. 为说明硅表面的取代
情况, 采用氢原子以取代烷烃链, 使硅表面达到所要研究的覆盖率,
文档评论(0)