碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析.pdfVIP

第26卷第9期 半导体学报 V01．26No．9 CHINESE 0FSEMICoNDUCTORS 2005年9月 JOURNAL Sep．，2005 碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析* 曾冬梅 王 涛 介万奇 (西北工业大学材料学院，西安 710072) 摘要：采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析，观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形 貌和Te沉淀周围的棱柱位错环．认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的，而沉淀相在基体中的析出与 基体形成错配应力，又造成位错的增殖．Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的． 关键词：透射电子显微镜；棱柱位错环；Te沉淀 PACC：8130M；6170J；8110F 中图分类号：TN304．2+6文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)09—1760—04 1 引言 2 实验 碲锌镉晶体材料是外延高性能碲镉汞薄膜的最 用于透射电镜观察的试样厚度要求在 佳衬底材料，同时还被广泛用来制作X射线及丫射 线探测器、光电调制器、太阳能电池及激光窗口 的制备非常困难．我们采用的试样制备步骤如下：先 等口~3]．作为衬底材料，碲锌镉晶片中的位错等缺陷 用10目的金刚砂将试样研磨至o．1mm厚，再用氧 在外延生长过程中会延伸到外延材料中，直接影响 器件的性能．作为制作高能射线探测材料和太阳能 切割机将其切成3mmx3mm大小的薄片试样；用 电池材料，碲锌镉的点缺陷、位错、沉淀相等缺陷会 5％的溴甲醇溶液对其进行化学抛光2．5min，去除 影响到材料的本征阻抗特性，进而影响封器件的性 前期制备过程中的表面损伤，确保观察到的试样是 能H]．因此，对各种缺陷的分析是研究碲锌镉晶体材 生长态碲锌镉晶体的真实反映；最后将试样用环氧 料的一个重要内容． 树脂粘在①3mm的铜网上，放入离子减薄装置中， 目前对碲锌镉晶体材料缺陷的研究主要集中在 减薄4h，获得透光薄区． 用透射电子显微镜、红外显微镜、差示扫描量热法和 在试样透射电镜分析中，采用的加速电压为 红外透射光谱技术等观察研究晶体中的Te沉淀 相‘5’61；用扫描电子显微镜、高分辨电镜[71等观察研 究点缺陷、线缺陷(位错)[8]．然而，这些研究工作并3结果与讨论 没有对棱柱位错这种线缺陷进行具体分析，更没能 把Te沉淀相与棱柱位错联系起来做系统的分析． 3．1碲锌镉晶体衍射花样的标定 本文采用透射电子显微镜，观察研究了碲锌镉晶体 中Te沉淀相的形貌和棱柱位错，分析了Te沉淀相 通过标定碲锌镉晶体衍射花样，确定出零层倒 和棱柱位错的形成原因以及两者之间的关系，并确 易面上各ght，矢量端点的指数，定出零层倒易面的 定了碲锌镉晶体中棱柱位错的柏氏矢量． 射方向． *国家自然科学基金资助项目(批准号 曾冬梅女，硕士研究生，主要从事cdznTe晶体材料的研究．Email：zengdongmeil010@tom．com 2005一01一09收到，2005一04—25定稿 ⑥2005中国电子学会 第9期 曾冬梅等： 碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析 图1是在透射电镜下拍摄到的选区电子衍射花 样，图2是对晶体电子衍射花样的标定． 已知碲锌镉单晶为闪锌矿结构，测量靠近中心 斑点的几个衍射斑点至中心斑点的距离及各衍射斑 点间的夹角，然后根据衍射基本公