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ITER中PWI关键问题的最新分析 （Recent analysis of key plasma wall interactions issues for ITER） 前言 从2006年 对滞留灰尘的评估主要依据IVVS的测量结果。 应用参数 输入等离子体的粒子、能量流量和表面温度，主要参照400s Q=10 ITER以前的实验数据。合成的流量展示在[9]的图五中。 偏滤器中靠近等离子体撞击点附近，典型的离子和中子流量超过1024m-2s-1 （ITER中每一泡的总流量1026m-2）,偏滤器处等离子体浓度大约是1026m-3，等离子体温度大约是3eV。这相当于D粒子的势能~15eV，取决于等离子体加速器的潜力。在偏滤器外部，预期撞击点附近的表面温度大约是~1300K；在偏滤器内部，温度是~800K。 对第一壁流量的评估是非常不确定的。这里用到的模拟结果显示中性D的流量范围是1019-1021伴随着的典型的能量~8-300eV。离子流量比偏滤器撞击点处低三个数量级。本文中偏滤器处的条件D/T比例大约是50/50%。 本文中比较了一下四点： （1）CFC偏滤器打击点瓦片，W圆顶，Be第一壁； （2）W偏滤器/Be第一壁； （3）全W装置 （4）全C装置 （1）在ITER内部内部材料的选择方面，PWI被作为主要的选择依据。考虑到最低的T滞留，（2）被提议作为ITER材料的候选方案。全W材料（3）被预期为ITER材料的下一个发展阶段，并可能在DEMO装置中得到使用。（4）全C材料不在ITER候选材料的范围之内。由于现在运转的大量装置中都是用的full-C PFCs，所以在本文中也进行比较。 在后来的工作中，下面的材料厚度也被考虑： 对于（1）18mm CFC 偏滤器打击点； 对于（1）圆顶，（2）和（3）偏滤器和壁W材料的厚度都为10mm； 对（1）和（2）Be第一壁的厚度为10mm。 4. PFCs的寿命 所有因素中，刻蚀决定决定PFCs寿命的最关键因素，通过同时沉积它将导致灰尘的产生和T的滞留。 4.1 稳态刻蚀 PFM的刻蚀特点被总结为以下几个方面： 对于Ｗ和Be物理溅射刻蚀，能量低于1keV的轻离子刻蚀； 对于C基材料，H引起的化学刻蚀最严重。化学溅射刻蚀又使表面温度提高（大约10-1 600-800K）。由于此过程较复杂，化学刻蚀的数据主要通过经验方程得到。 实验上观察到，C沉积层遭受化学刻蚀比石墨体内高10倍。对于沉积材料，例如Be，情况跟C相同。但是，最近在Be材料的实验中观察到大约是2倍。 用ERO code 对偏滤器的可是进行了评估，能量和粒子流量采用了与[11]相同的数据，评估中考虑到了C 材料的化学刻蚀。用DIVIMP计算了W材料刻蚀，而用ASDEX的实验数据评估了Ｗ的沉积材料。结果列在了Table３中： 4.2 瞬载刻蚀 为了评估ELMs和破裂对偏滤器材料的影响，等离子体枪被用于提供真实的环境，像预期的ITER中的过热负荷在现在的TOKAMAKs中是难以实现的。QSPA的最新结果被概括如下。 4.2.1 ELMs 刻蚀 在ITER-1中ELM类似于热负荷，CFC刻蚀，主要是有PAN纤维的刻蚀，开始于0.5MJ/m2。W的刻蚀主要归因于溶解层的运动和小滴喷出。W样品的边缘溶解开始于~0.4MJ/m2，这与CFC的数值相近。然而，对于W，在低于这个区间破裂已经出现由于重复的热负荷。现在还不清楚，一旦应力被释放掉裂纹会不会最终达到饱和。 结论，对于W和CFC，ITER中ELMs应该被限定在一个能量密度0.5 MJ/m2，以由于防止严重破坏而限制PFCs的寿命，这个观点已经被ITER团队认可。在低于0.5 MJ/m2的时候，由于ELMs刻蚀，粒子流对PFCs的刻蚀可以被忽略（CFC中T滞留引起的刻蚀），展示在Fig.2中。 4.2.2 破裂刻蚀 一旦等离子体熄灭，瞬间将有~350MJ的热能作用在偏滤器材料上，这将引起偏滤器材料的汽化和融化。假如一个最严重的ITER熄灭发生： 等离子体内部热能损失80-100%； 边界等离子体宽度扩大（~3）； 偏滤器内外能量比例在2：1和1：2之间； 环形能量峰值将达到1.5。 等离子体熄灭将导致偏滤器靶热量10GW m-2,这将使CFC材料汽化几um。这种情况下，W将发生几百um的融化。在超热负荷下ITER寿命中的一个关键参数是前期破裂退化的行为。 但是，实验中发现JET和up-ASDEX中的破裂情况比之前预想的要好的多，刮削增宽了（3-10）和内部能量释放过程中一些较小的破裂。这两个关键参数将决定在破裂情况下PFCs的寿命。若这些情况被确认，标准ITER破裂中的能量密度将比现在的假定值要低。 ITER中规定