MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究.pdfVIP

维普资讯 第 57卷 第7期 2008年 7月 物 理 学 报 Vo]．57，No．7，July，2008 1000．329O／2oo8／57f07)／432206 ACTA PHYSICA SINTCA ⑧2008Chin．Phys．Soc． MnSi1一磁性薄膜的结构研究* 任 鹏 刘惠良 叶 剑 姜 泳 刘金锋 孙 玉 徐彭寿 孙治湖 潘志云 闫文盛 韦世强 (中国科学技 术大学 困家I司步辐射实验率 ，合肥 230029) (2007年 10月 1日收到 ；2007年 12，j11f=j收到修改稿 ) 利用 x射线衍射 (XRD)和 x射线吸收近边结干勾(XANES)方法研究了在 Si(100)衬底上及600~C温度条件下用分 子束外延 (MBE)共蒸发方法生长的MnSi． 磁性薄膜的结构 ．由XRD结果表 明，只有在高Mn含量(8％和 l7％)样 品中存在着 Mn4Si化合物物相 ．而 XANES结果则显示 ，对于 Mn浓度在0．7％到 l7％之问的Mnsi一 样品，其Mn原 子的 XANES谱表现 出了一致 的谱线特征．基于多重散射的 XANES理论计算进一步表明，只有根据Mms 模型计算 出的理论 XANES谱才能够很好的重构出MnSi． 样品的实验 XANES谱 ．这些研 究结果说明在 MnSi． 样 品中，Mn 原子主要是以镶嵌式的MnSi化合物纳米晶颗粒存存于 Si薄膜介质中，几乎不存在问隙位和替代位的Mn原子． 关键词 ：MnSi一磁性薄膜 ，分子束外延 ，XRD，XANES PACC：6l10，6155 合金化合物 ．将其在更高温度如 700~C退火后会转 1．引 言 变为 MnSi，等另外一些化合物或合金团簇 ．并且在 某一 固定温度下有倾 向于生成某一两种特定化合物 稀磁半导体 (dilutemagneticsemiconductor，DMS) 的趋势 ．Mn浓度较低时 Zhang等人 曾报道 ¨， 是在半导体中掺杂低浓度的过渡金属离子而具有铁 200oC下 由MBE共蒸发方法在 Si(100)衬底 上生长 磁性的新型半导体材料 ，在磁记忆存储 、磁传感器等 的MnSi (=0．005—0．035)薄膜 ，电镜结果表明 自旋 电子学领域存在较强 的应用前景 ～．多年来 ， 存在 富 Mn的合金 相 ，同时离子 沟道 技术 (ion 由于实验上易于掺杂较高浓度 的磁性过渡金属离 channeling)表明还有 以替代位形式 Mn掺入 si晶格 子，以Ⅲ一V族和 Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体为基础 的稀 的物相存在 ． 磁半导体材料发展迅速 ．但是，Mn，Co等过渡金 x射线衍射 (XRD)方法作为一种物相分析 的有 属离子在 Iv族 si和 Ge等半导体材料 中的饱和溶 力手段 ，在对 MnSi一薄膜 中合金相成分及结构的 解度很小 ，约为 1％一2％，难 于制备 出 良好性能 的 研究中已经发挥 了重要作用 。．荧光 x射线吸收 稀磁半导体 ，导致该领域的研究较少 ．由于 si和 Ge 近边结构谱学 (XANES)技术对低含量元素的测量 基的稀磁半导体材料与 已有的半导体技术具有 良好 具有较高的灵敏度，同时对局域结构十分敏感 ，可以 的兼容性 ，近年来 ，也逐渐受到关注 ¨， ·． 研究 中心 原 子 周 围 的短 程 有 序 结 构 的变 化 情 目前 ，一些 X