Ge掺杂对InI导电性能影响的第一性原理研究.pdfVIP

物理 学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．23(2014) 237101 Ge掺杂对InI导电性能影响的第一性原理研究术 王永贞 徐朝鹏十 张文秀 张欣 王倩 张磊 (燕山大学信息科学与工程学院，河北省特种光纤与光纤传感重点实验室，秦皇岛 066004) (2014年 7月9日收到；2014年 7月23日收到修改稿 ) 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，在相 同环境条件下对不同浓度 Ge掺杂 的 InI导电性能进行 了研究．建立 了由不同浓度的Ge原子替代In原子 的Inl一。GeI(X=0，0．125，0．25)模型． 对低温下高掺杂Ge原子的In1--xGeI半导体 的优化参数、总态密度 、能带结构进行了计算．结果表 明：Ge的 掺入使In1一GeI材料的体积减小，总能量升高，稳定性降低 ；Ge原子浓度越大，进入导带的相对电子数量越 多，Ini一GeI电子迁移率减小，电阻率增大，同时最小光学带隙也增大，有利于改善体系的核探测性能． 关键词：Ce高掺杂InI，电阻率，第一性原理 PACS：71．15．一m．71．15．Mb．72．15．一V DOh10．7498／aps．63．237101 一 性原理研究了碘化铟本征缺 陷对载流子传输特 1 引 言 性的影响；2014年徐朝鹏等 [8]分析了Tl掺杂使InI 禁带宽度增大的机理及吸收光谱蓝移的原因．影响 碘化铟 (InI)是一种新型宽带隙 (2．0eV)[】半 半导体材料核辐射探测性能的参数主要有禁带宽 导体材料，在常温常压下是层状结构的底心正交晶 度、电阻率、载流子迁移率一寿命积等，其中较大的 体，是典型的直接宽禁带半导体材料 [2]_碘化铟作 禁带宽度和较高的电阻率能够保证探测器在室温 为一种制作室温核辐射探测器的新材料，具有高原 工作时有较低的漏 电流．因此，可以考虑如何增大 子序数 以及高密度、较高的电阻率、较大的载流子 半导体的禁带宽度和电阻率 以提高其核探测性能． 迁移率一寿命积等优点．此外，碘化铟 晶体还具有 目前实验和理论上都没有研究过掺杂对碘化铟导 在室温下易于使用和保存的特点，碘化铟的熔点低 电性能的影响，也没有利用掺杂提高电阻率进而改 (365。C)，在熔点和室温问不存在固一固相变，因此， 善碘化铟核探测性能的研究．而掺杂改性在其他半 用简单的熔体方法就可 以获得高质量的碘化铟 晶 导体材料 中的应用较为广泛，如实验上己证明掺钴 体，这些优点使得碘化铟晶体成为制作室温核辐射 氟化镁 (Co：MgF2)制成的激光器是 目前调谐范围 探测器的热点材料之一． 最宽的固体可调谐激光器9[]．李学 良和陈洁洁 [10】 迄今为止，为改善碘化铟晶体的核探测性能， 用第一性原理分析了Cr掺杂对LiFeP0 导电性能 实验方面的研究主要集中在改进 晶体的生长工艺、 的影响，并得出了与实验变化趋势相一致的结果． 提纯和合成技术等方面 [3—5】．2012年，美国布鲁海 关于掺杂对InI导 电性 能的影 响迄 今 尚不 文 国家重点实验室 的Hossain等 [6]生长 出了电阻 十分清楚，因此从理论上对其进行深入研 究十 率为l0nQ．am的碘化铟 晶体，并获得了优异的核 分必要，且 具有重要 的意义．Ge具有 较大 的 探测性能．理论研究方面，2013年张伟等 [7】利用第 密度 (5．32g．cm )和载流子迁移率一寿命积 (丁 河北省应用基础研究计划重点基础研究项 目(批准号)、中国电子科技集团公司第 四十六