反应射频磁控溅射沉积ZrNx薄膜当x.docVIP

反应射频磁控溅射沉积的ZrNx薄膜当x﹥1时的特性 A. Rizzo, M.A. Signore a, L. Mirenghi b, E. Serra a a ENEA, UTS MAT-Tec, CR Brindisi, SS Appia Km 714, 72100, Brindisi, Italy b ENEA, UTS MAT-Comp, CR Brindisi, SS Appia Km 714, 72100, Brindisi, Italy 收稿日期2005年4月20日, 2005年11月1日收到经修订版;2006年3月9日接受,2006年4月19日在网上提供 摘要 ZrNx薄膜已经可以用反应射频磁控溅射制备，在氮分压的变化范围为0 - 3.26Pa。对薄模进行X射线光电子能谱（XPS）和紫外线的光学特性UV– Vis-IR红外范围分析 。用“场发射枪 - 扫描电子显微镜样品的断面和表面形态进行研究。氮分压对ZrNx薄膜的影响化学计量进行了研究，不同的边界关联的N1S光电子峰氮化锆的状态。 XPS深度剖析，揭示了亚稳相的存在（的ZrN2，锆3N4）消失时降低氮分压。获准来区分光学分析样品在两个不同的行可视范围：半透明和吸水。特鲁德 - 洛伦兹模型装有吸水膜的行为，而奥利模型应用于半透明的。半透明薄膜带隙不同的2.36和2.42 EV之间，典型值的N -丰富的锆氮化物薄膜。形态分析显示，紧凑，密集的柱状结构，为所有样品。一个简单的增长模型解释氮化考虑植入和重新溅射效果不同阶段的存在。?2006爱思唯尔B.诉保留所有权利。 关键词：溅射;氮化锆;光学性质; X射线光电子能谱 1、简介 由于其极高的硬度，高的热稳定性和化学稳定和低电阻率，氮化锆广泛应用于机械硬盘和防护涂料工具，装饰涂料和扩散屏障微电子产业[1]。只有在稳定的化合物锆- 氮的二进制系统的ZrN氯化钠型晶体结构[2]，但它可能获得氮化锆，ZrNx，与非化学计量（X2）相当多的变化范围沉积条件。氮丰富的薄膜是半透明的而且比单体锆的导电性小得多 [3]。尤其是Zr3N4相显示了非凡的的机械和电气性能，这使得它有许多应用[4]。虽然它是一般人难以更改和控制中的氮化物薄膜的氮浓度以获得更高的氮化物，人们对这些材料有较强的科学兴趣[5]。高密度的大量立方Zr3N4样品已被Zerr等人合成, [6] 方法是使用高压激光加热金刚石压腔。他们发现， C - Zr3N4在15.6-18 GPa的压力和2500-3000 K温度下形成。硬立方米Zr3N4薄膜已由Chhowalla和Unalan[4]使用一种新的修改过滤阴极电弧沉积得到。亚稳半透明绝缘Zr3N4薄膜已用活性双离子束溅射制备出来，它可以在非平衡热力学条件下由于低能量离子轰击而增长[7]。一种含氮丰富的相已经由Prieto等人制得，通过低能量（0.25 keV）的N2+轰击一个锆箔，直到饱和。 [8]。此外，M. Del Re等人 [9]由直流电（DC）磁控溅射获得三相氮化锆（ZrN， Zr3N4，ZrN2）薄膜中，他们发现了不同的亚稳化合物。 Juza等人 [10]，于1964年，由四碘化锆在750° C四溴化锆和氯化锆在稍高温度的氨解作用发现Zr3N4化合物。人们已经进行许多研究，以了解工艺参数之间的关系，膜的结构和性质。据了解，我们先前的研究[11,12] ZrNx薄膜的性质受其化学计量学，择优取向和晶粒尺寸影响极大。人们对使用传统的射频（RF）溅射技术去探究依靠高氮化相的进程有特别的兴趣。 在这项工作中，我们已经研究了高氮化锆在室温下不同的氮局部压力输入功为200瓦的增长。光学和成分调查证实了各种氮化锆组成的存在得，包括亚稳相。我们提出了一个简单的增长模型为了解释我们的研究结果。需要考虑在沉积过程中到达基材表面不同的粒子流。 2、实验步骤 ZrNx薄膜是由一个反应磁控溅射系统沉积得到的。沉积室连着一个由500升/分钟的涡轮分子泵组成和回转泵作为前级泵抽速的抽水系统。使用一个直径4英寸锆磁盘的目标（99.9％）。 目标到基板的距离为5厘米。基板材料是硅（100）晶和硅的幻灯片。在涂层工艺之前，用丙酮和乙醇对标本进行超声波逐步清洗，然后在真空干燥器中干燥。在沉积之前，沉积室被疏散到2.66×10-5 Pa（2 × 10-7托），以避免在沉积过程中的污染和被氩气和氮气预溅射的目标放电。七个样本的输入沉积条件列于表1。 表1输入分析ZrNx薄膜沉积参数 经过预溅射，产生了高纯度工作气体和反应气体，采用不同的质量流量控制器双向调节气体流量。总通量Φ（Ar+ N2）固定在10 sccm。Zr目标的射频电源功率定为200 W。实验对波长从200 n