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空气填充波导击穿过程的三维PIC/MC 模拟  上海锦科信息科技有限公司， 摘要：使用VORPAL 软件进行了空气填充的微波波导击穿过程的全三维电磁PIC/MC 模拟。对击穿的整 个过程进行了跟踪，观察到了击穿后发生的波导截止和微波反射。给出了电子雪崩段和击穿段的电子能谱 (EED)及氮-氧电离率。在雪崩段，电子呈现明显的截尾麦克斯韦分布，在击穿后则转化为双温麦克斯韦分 布。击穿过程中，氧电离率略高于氮电离率。在击穿完全发生之前，微波场分布基本上不受干扰，只有极 少部分微波能量在雪崩段中消耗。 关键词：微波击穿，等离子体模拟，PIC/MC PACS: 52.65.Ww, 52.27.Aj, 52.80.Pi 引言  当高功率微波通过充气波导管时，会发生波导管的击穿现象[1][2]。在物理上，这种波导管击穿可以简 略地描述为下述过程：（1）某种机制如场致发射，宇宙线背景电离，热电离等等产生出少量种子电子；（2 ） 种子电子在电磁场作用下加速到较高的能量。（3 ）加速电子轰击背景气体或者波导壁面导致次级电子产生。 （4 ）次级电子在电磁场下加速并激发出更多的次级电子，最终导致电子数雪崩。（5 ）经过足够长时间之 后，电子数增长，等离子体密度增加达到对微波不透明的程度，微波被反射。此时，波导设备被击穿。  由于高功率微波设备的重要应用前景，微波峰值功率和脉冲长度都在不断增加，因而对于充气设备的 微波击穿的研究也越来越重要[2]。但这个问题本身是强非线性的，很难从理论上定量处理，而只能使用数 值模拟方法进行机理分析。目前已经有一些流体类型的模拟结果[3][4][5]。但在击穿过程中，电子的碰撞倍 增依赖于电子的轨道和能量分布。而通常的电磁流体力学建模方法无法处理电子分布函数。某些研究使用 全局模拟等变形的研究方法[6][7]，但原则上这类模拟中使用的分布函数必须用其他方法得到。因此，一般 来说，对于击穿过程的细致物理机理，需要使用PIC/MC 方法[8]。  PIC/MC 方法的基本概念是：(1)通过追踪大量宏粒子在电磁场作用的运动来实现对等离子体基本行为 的模拟; (2)并用蒙特卡洛方法来模拟带电粒子和背景气体分子之间的碰撞过程。目前已经有一些用PIC/MC 方法模拟微波击穿过程的研究。但这一方法在实际用于击穿问题时，会面对的严重的计算量困难：首先， 三维全电磁 PIC/MC 模拟本身非常消耗计算资源；此外，由于电子倍增过程中，次级电子数会发生雪崩式 的增加（大约增长9‐10 个数量级），如果用标准的 PIC/MC 方法进行模拟，宏粒子数的增加会很快导致模 拟中的内存溢出。因此，为了控制计算量，目前的微波击穿过程模拟普遍使用一维的静电 PIC 模型，并且 只研究电子倍增的早期过程[9][10][11]。  对于波导管内的高功率微波，电磁场分布模式依赖于波导的工作模式，而且当微波频率很高时，电子 往复运动的位移很短，运动模式也完全不同于静电模型，因此必须使用三维全电磁模型才能获得对电子运 动的可靠理解。此外，详细的击穿过程研究应该追踪到微波不透明段才能准确确定击穿过程发生的时间、 位置和阈值。最后，许多模拟是针对 Ar 等比较简单惰性气体填充的情况，而波导实际工作中往往使用空 气等混合气体，由于同时存在高比例的氮‐氧，空气的击穿行为将远比Ar 复杂，不同气体对电离的贡献也 是一个重要的问题。  随着模拟技术的进展，PIC/MC 模拟的计算能力得到了大规模的发展[12]，粒子数雪崩困难也已经有了 一些初步的解决方法[13]。从而对击穿过程的全程模拟已经成为可能。本文将利用这些方法对低气压空气 填充波导管的微波击穿过程进行全过程的三维模拟，对击穿过程进行较为细致的研究，并给出击穿过程中 电子的能量分布函数以及氮‐氧电离比；提供击穿过程中的电子密度和能量空间分布。  本文包含下列几个部分：(1)模拟模型和参数设置；(2)模拟的结果和简要的分析；(3)结论和未来工作的 展望。  模拟设置  模拟使用Tech‐X 公司的VORPAL 软件进行[14]。在VORPAL 中提供了多种常见气体的碰撞截面数据， 1    在此使用背景气体为氮和氧以78:21 混合的气体（相当于空气）。为了降低碰撞几率，将气体气压设置为标 准状态下 200Pa。理论上，较低的气压会显示更