Ge_Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究.pdfVIP

( ) 328 功能材料 　　　　　　　　　　　　　　　　　2008 年第 2 期 39 卷 Ge/ Si 纳米多层膜的埋层调制结晶研究 1 ,3 2 2 2 1 2 2 杨瑞东 ,陈寒娴 ,邓荣斌 ,孔令德 ,陶东平 ,王 　茺 ,杨 　宇 ( 1. 昆明理工大学 材料与冶金工程学院 ,云南 昆明 650093 ;2 . 云南大学 材料科学与工程系 ,云南 昆明 65009 1 ; 3 . 红河学院 物理系 ,云南 蒙自 66 1100) 摘 　要 : 　采用磁控溅射设备 , 当衬底温度为 500 ℃ 厚度与非晶,微晶相变之间存在密切的关系[ 15 ] 。这些研 时 ,在 Si ( 100) 基片上磁控溅射生长 Ge/ Si 多层膜样 究都从不同方面表明在 Ge/ Si 多层膜中,子层的沉积厚 品。使用 Raman ,A FM 和低角 X 射线技术对样品进 度影响着晶粒的尺寸及空间分布 。本文采用磁控溅射 行检测和研究 ,结果表明通过控制 Ge 埋层的厚度 ,可 技术 ,从改变 Ge 子层溅射厚度的设想出发 ,在基片温度 以调制 Ge 膜的结晶及晶粒尺寸 ,获得晶粒平均尺寸 为 500 ℃时 ,溅射生长 Ge/ Si 多层膜样品。使用 Raman 、 和空间分布较均匀的多晶 Ge/ Si 多层膜 。 A FM 和低角 X 射线技术对样品进行研究 ,结果表明通 关键词 : 　Ge/ Si 纳米多层膜 ;埋层 ;纳米晶粒 过控制 Ge 分层的厚度 ,可以控制调节 Ge 的结晶及晶粒 中图分类号 : 　O484 . 4 文献标识码 :A 尺寸 ,适当的 Ge 埋层厚度可获得晶粒平均尺寸和空间 ( ) 文章编号 :100 1973 1 2008 分布均匀性较好的多晶 Ge/ Si 多层膜 。 1 　引　言 2 　实验过程 在纳米材料中,纳米颗粒的结晶性 、尺寸分布和空 采用 FJL560 Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射 间分布是决定其电学和光学性质的关键因素 。已表明 设备制备 Ge/ Si 多层膜样品。靶材为高纯 Ge 圆柱形靶 ( ) ( ) 纳米晶体薄膜构成中并非只有一种晶粒尺寸 ,纳米晶 纯度 99 . 99 % ,高纯 Si 圆柱形靶 纯度 99. 99 % 。溅 [ 1 ] ( ) 粒尺寸不均匀 ,具有一定的分布 , 因此 ,纳米材料的 射气体为高纯氩气 纯度 99. 999 % ,本底真空度优于 [2 ]