【材料研究方法】习题分析.pdfVIP

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2017-08-11 发布于江苏
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【材料研究方法】习题分析.pdf

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2012/5/3  X— H伸缩振动区，4000～2500cm-1 ，X=O 、H、C、S 在这个区域内主要包括O— H，N— H，C— H和S— H键的伸缩振动；  叁键和累积双键区，2500～1900cm-1 主要包括炔键-CC-，腈基一CN、丙二烯基—C＝C＝C— ，烯酮基—C＝C＝O、异氰酸酯键基— N＝C＝O等的反对称伸缩振动； s：强吸收 m：中强吸收累积双键： w ：弱吸收 b：宽吸收带 N=C=O ：2240-2275cm-1 ν ：对称伸缩； ν ：反对称伸缩； sh：尖锐吸收峰 s as N=C=S ：2085cm-1 v ：吸收强度可变 δ：面内弯曲； γ：面外弯曲； -1 ω：摇摆； τ：扭曲 C=C=C ：1915-2000cm N=C=N ：2120-2155cm-1  双键伸缩振动区，1900～1200cm-1  X—Y伸缩振动及X— H变形振动区，＜1650 cm-1 。这个区域的光谱比较复杂，主要包括C— H、N— H变形振动，C—O、主要包括C＝C、C＝O、C＝N、— NO 等的伸缩振动，芳环的骨架 2 C—X （卤素）等伸缩振动，以及C—C单键骨架振动等。振动等； -1 有机基团的特征吸收大多集中在4000～1350cm 区域内，因而这一段频率范围称为特征频率区。 1350～650cm-1 的低频区称为指纹区。分子式推算：C H O N X m n q r s  3000cm-1附近有四个弱吸收峰，这是苯环及CH 的C— H伸缩振动不饱和度计算：U ＝m+1-(n-r+s)/2