气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究.pdfVIP

《半导体光电》2008 年 12 月第 29 卷第 6 期 郑建邦 等 : 　气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究 材料 、结构及工艺 气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究 郑建邦 , 汪 　远 西北工业大学 理学院, 陕西 西安 710072 - 3 摘 　要 : 　在 2 ×10 Pa 真空度下 , 以酞菁铜 Cu Pc 、均苯四甲酸酐 PMDA 和二氨基二苯醚 ODA 为原料 ,通过控制三源单体的加入摩尔计量 、加热时间和其沉积速率 ,在玻璃衬底上合成了 含酞菁铜的聚酰胺酸 ,再经 150～200 ℃真空加热亚胺化 1 h 后得到了成膜性 良好的均匀含酞菁铜 聚酰亚胺薄膜 。红外谱图证实了所合成产物的结构 ,紫外吸收分析表明含酞菁铜聚酰亚胺薄膜在 可见光区、近红外区具有较强的吸收 ,热失重分析表明所制备的含酞菁铜聚酰亚胺具有良好的热稳 定性能 ;简并四波混频方法测得薄膜的三阶非线性极化率为 1. 984 ×10 - 9 e su ,表现出良好的三阶 非线性特性 。 关键词 : 　非线性光学材料 ; 酞菁铜 ; 聚酰亚胺 ; 气相沉积 ; 简并四波混频 中图分类号 : TN 304 . 0 1 文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 2008 06 - 0879 - 05 Optical and Electrical Properties of CuPhthalocyaninedoped Polyimide Thin Fil ms by Vapor Deposition Polymerization ZH EN G J ianban g , WAN G Yuan School of Science , Northwestern Polytechnical University , Xi’an 710072 , CHN Abstract : 　U sing CuPht halocyanine Cu Pc ,p yro mellitic dianhydride PMDA and 4 ,4 ’ diamino dip henyl et her ODA a s mono mer mat erial , CuPht halocyaninedop ed polyimide P I t hin film s were p rep ared o nto gla ss sub st rat e by vapor codep o sition polymerization under a vacuum of 2 ×10 - 3 Pa an d t her mal curin g of polyamic acid film in a vacuum at t emp erat ure of 150～200 ℃for 60 min . In t hi s p roce ss , t he polymerization can be car ried out t hrough cont rollin g t he stoichio met ric ratio , heating time and depo sition rat e s of t he t hree mono mer s. IR identifie s t he de signed chemical st r uct ure of t he polymer . The ab sorp tio n of polyimide dop ed Cu Pc i s very int en se in vi siablerange and nearinf rared by U Vvi s sp ect r um . A n d , t he Cu Pcdop ed P I film s by vapor depo sition polymerization have unifor mit y and fine t her mal st abilit y . A n d al so , t he film s 3 have goo d nonlinear op tical p rop ertie s and t he t hir dor der op tical nonlinear su scep tibilit y χ mwa sured wit h Degenerat e Fourwave Mixing D FWM can be 1. 984 ×10 -