二元光学元件的制作及误差分析.pdfVIP

二元光学元件的制作及其误差分析+ 李忍涛叶嘉雄阮玉徐启阳郭志霞 华中理工大学光屯子工程系 徐永明 中国电信总局传输维护处 查寺 湖北电信工程局 摘要：本文详细介绍了二元光学元件制作的光亥6技术和一些新的制作工艺，包括薄膜沉积法、 激光束或电子束直接写入法和准分予激光．如工法。针对用于co：激光器模式优化的二元光学反 射镜，我们分析了元件制作误差，包括掩模对准误差、台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差 对谐振腔振荡模式的影响。 关键词：二元光学，光刻．掩模．误差 i．引言 二元光学元件的制作是建立在现代微电子工艺的高技术基础之上，采用超丈规模集成电路 (VLS『I)ZL]造设备生成主扳元件．用塑性复制技术进行元件的批量生产。目前二元光学元件的制 作主要借用了超大规模集成电路中的光刻工艺和离子刻蚀技术，刻蚀基片咀得到元件表面浮雕 图。近几年来．一些新的制作技术正处于研究和发展中，如激光束或电子束直接写入法是直接 将激光束或电子柬对光刻胶曝光，并由计算机通过控制曝光光点的移动来获得抗蚀剂的曝光图 形．从而在抗蚀剂上的到连续的位相面或具有不同厚度等级的离散位相面：准分子激光加工法 通过控制脓冲数目来控制激光切割的深度：薄膜沉积法则通过在基片表面上沉淀一定厚度的某 种材料而得到的浮雕位相露，由于可以采用膜厚控制技术，每一层的沉积厚度误差要比刻蚀深 度误差小得多。本文详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的刮作工艺。最后．针 对用于c0：激光器模式优化的二元光学反射镜，我们分析了元件制作误差。包括掩模对准误差、 台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式的影响。 2．二元光学元件的制作技术 ：．1光刻法111 光刻法是目前：二元光学元件的主耍制作技术，其工艺流程一般包括三个步骤：掩模设计 及制作，图形转印和基片刻蚀。对于多位相等级的二元光学元件，则需要多次重复上述三步工 艺过程，进行掩摸的套刻加工。图】给出了一个四位相等级二元光学元件的制作过程示意图。 首先，基于光的衍射理论，由计算机设计出一套用于光刻的掩模图形，并由图形发生器 ’国家自然科学基金资助项目． 176 生成一套二元振幅掩模。在光刻工艺中，二元光学元件的位相等级数N和所需的掩模数M之 间存在如下关系： N=2” (1) 接着，在基片表面均匀地涂上一层光刻胶，将第一块掩模放置其上，对光刻胶进行曝光， 曝光后的光刻胶经过显影后破洗去(对于正性光刻胶)，而未曝光的光刻胶则保留下来。这样， 掩模上的图形就转移而印在了基片上的光刻胶上，这就是图形转印过程，即通常所说的光刻工 艺。按照曝光时所用的能量源的不同，目前主要有三种曝光方式：光学曝光、电子束曝光、离 子柬曝光。 由于曝光所能分辨的最小线宽与曝光光源的波长成正比，因此光学曝光一般采用紫外(约 4nm)作为 占0．4“m)光源．甚至采用波长更短的远紫外光(o．2一o．3Ⅳm)或者X射线(0．4～1 曝光光源，以提高分辨率。使用远紫外光源曝光取决于是否有合适的抗蚀剂，x射线则可以忽 略衍射效应，但由于x射线是非平行光束，会引起半影畸变和几何畸变。光学曝光分辨率最高 可达1∥Ⅲ左右。 电子束的波长范围为0们～0．007nm，因此电子束曝光可忽略衍射，易获得亚微米级的高分 辨率。进～步提高其分辨率则要受到对准机构、电子抗蚀剂和电子在抗蚀剂中的散射效应等因 素的限制。 离子束曝光中。由于离子的质量比电子大得多，因而其波长更短，可获得更高的分辨率。 而且离子束曝光还克服了电子柬曝光中的电子散射效应，抗蚀剂对离子柬的曝光灵敏度比对电 子京、X射线均高。 最后，对暴露出的基片进行刻蚀，保留在基片上的光刻胶则作为抗蚀剂，保护其下的基 片不被刻蚀。刻蚀至适当深度后，清除掉剩余的光刻胶，得到一个二位相等级的二元光学元件． 如图1(a)所示。 二元光学的基片材料一股分为光学