p-n复合半导体光催化剂研究进展.pdfVIP

维普资讯 化 工 进 展 2007年第 26卷第 l2期 CHEM ICALINDUSTRYAND ENGINEERNI G PROGRESS ·1669 ‘ p-n复合半导体光催化剂研究进展 吴欢文，张 宁，钟金莲，洪三国 (南昌大学理学院化学系，江西 南昌 330031) 摘 要：综述了p-n复合半导体光催4e~,J的光催化原理及研究现状。根据 p-型材料种类，将p—n复合半导体光催 化剂分为 4类：口一型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p一型半导体材料铜氧化物及由其它 pI型半导体材料组成的“p—n结型”、“二极管”式p—n复合半导体光催化剂，分别对其研究状况进行了介绍。提出了 当前P—n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题，并对未朱的研究方向进行了探讨。 关键词：光催化剂；p-n复合半导体光催化剂；p-n结光催化剂；光催化二极管；复合界面 中图分类号：O643．31；TB33；TQ426 文献标识码：A 文章编号：1000—6613(2007)12—1669—06 Progressinresearchofp-ntypesemiconductorcompositephotocatalysts W UHuanwen，ZHANGNing，ZHONGJinlian，HONG Sanguo (DepartmentofChemistry，CollegeofScience，NanchangUniversity，Nanchang330031，Jiangxi，China) Abstract：Theprincipleofphotocatalysisofp-ntypesemiconductorcompositephotocatalystsandits currentresearchprogressraereviewed．Basedonthep-typesemi conductors，htecatalystsraedivided intofourtypes：CoOrn—type，C 0一n—type，NiO —n—type，na dohterp-ntypesemi conductormaterials， suchasp-nheterojunctionphotocatalystsnadphotocatalyticaldiodes．Finally，someproblemsinhte studyofp-ntypesemi conductorcompositephotocatalystsraeindicatednadabriefdiscussionabouthte futurereserachisgiven． Keywords：photocatalyst；p-ntypesemiconductorcompositephotocatalysts；p-nheterojunction photocatalysts；photocatalyticaldiodes；interface 近年来，催化剂可见光响应方面的研究已经取 钛矿型复合氧化物、尖晶石型复合氧化物等都属于n 得了可喜的进步Ll]，为充分利用太阳能创造了十 型；NiO、Co3O4、Cu20等是P型半导体材料。不同 分有利的条件。但受光量子效率的制约，即便使用 的半导体材料进行复合可得到异质复合光催化剂9【]， 可见光响应性能最好的光催化剂，催化效率仍然很 可分n—n、P—P、P—n复合 3类，前两类称同型异质结 低 。因此，抑制光生载流子的复合，自然成为当前 (n．n结、P—P结)，后者为反型异质结，即P—n结。 光催化研究的重点和热点。为了提高光催化效率，