外延纳米金刚石膜和其场发射特性.pdfVIP

外延纳米金刚石膜及其场发射特性 王维彪，颇长志4，纪红凯张传平，赵海酶 串霹辩学院长毒巍辊每物理掰长春130021 }吉椿大学超瑷材料黧家熏点安验室长春130023 摘 娶 本文磷究了纳米金嚣《嚣，}延薄膜瓣稍备方法及箕场发射特性。采用毫泳方法将粒经20m 空条件下研究．『它的场发射特性。 关键谲：纳米金舞《石 抖延 塌发瓣 ～、引言 金祷g石良好的特性便它成为一种撮好的冷黼极材料，在场发射显幂及其它冀空徽电予器件 申有鬟要的瘦耀嚣襞。褥金别器冷骥极器饽的剿舞与垒嚣#嚣薄膜戆捌鍪及发射电子性糍紧密 相关e对金剐石材料的场电子发射已有许多的研究B-4]，面要获得j瞄发射电流密度和发射均 匀性良好的金刚石薄膜，则需要进一步研究金刚石薄膜的场发射机瑾及材料制备方法。本文 襁步研究了纳米金糟t石薄膜盼外延镧各方法及其塌发射特性，箕目的是探索改善金两《石薄簇 魄予发射均匀性豹方法襄在撰件嬲备方霹的应耀。 二、材料制备 衬底采用溅射方法在硅衬底上溅射一层约0．1微米厚的金属Ti薄膜。鑫刚石外延薄膜的制 备采用两步方法；第一步采稽电泳沉积的方法在虢金属李于赢上沉积一层粒径小子20nm的雏米 衾舞g嚣徽粉，殍发约戈纳米金嚣《石擞耪粒经的3～5接。第二步在纳米金剐石擞粉薄膜上再终 延生长一层金刚石薄膜。外延生长采用微波CVD成热丝CVD方法，这蝗方法是目前常用的 生长盘刚石的方法。 壤。翔扳剿魏援发射垂蜒距裹约必100微米。 三、结果和讨论 鞋下。纳米金靖l石薄膜翡Raman光谱鲡胬2掰示。Raman峰位于133托m-4。 Ro№n SI州州’) 圈l，纳米盒目目石的TEM像 圈2，纳采金剐石静Raman搬谱 Raman光谱如图3所示。从图中可以看出，经过外延生长后的金刚石薄膜表面增加了非晶碳 含量。非晶碳的出现和外延生长机理有关。金刚石薄膜的生长机理已有许多理论【5]。我们生 长金刚石采用cH州2作为源气体，利用纳米金刚不微晶作为生长晶核，在徽晶表面继续外延 金刚石，衬底表面不需另外打磨处理以形成成核点。在生长过程中，一部分sP3碳基团在金刚 柯表面sP键的基础上外延生长，同时由于纳米晶金刚石晶粒表面的缺陷和晶格的畸变，sPz 结构的碳基团也在纳米金刚石晶粒表面沉积，沉积的非晶碳含量由生长过程中的反应动力学 决定。这部分非晶碳不仅在微晶表面沉积，而且和金属衬底之间形成金属碳化物结构，非晶 碳一方面有利于纳米金刚石微晶和村底之间的牢固接触，以免金刚石纳米晶粒在发射电子过 程中的脱落。另一方面有利于电子的传导和电子的连续发射。 Ram∞Shift(era1) 图3，外延纳米金刚石薄膜的Ram．an光谱图4，金刚石薄膜的场发射特性 外延金刚石薄膜和场发射特性如图所示，从场发射特性曲线看，两者的场发射域值电场相 差并不多，但在发射电流的变化上变化比较明显。用带ZnO：Zn发光粉的阳极屏来观察发射情 较均匀的被传导到纳米金刚石薄膜表面，由于金刚石的电子逸出功比较低，在比较低的电场 。r就能够产生电子发射；而大部分电泳沉积的纳米金刚石微晶可能和衬底无良好的电接触， 导致电子传导的不均匀，进而引起电子发射不均匀。 四、结论 通过在纳米晶金刚石薄膜表面外延生长一层金刚石薄膜，可以有效的改善纳米金刚石薄膜 的场发射，而且利用这种方法可以很容易做到金刚石薄膜定点定域生长t为制备金刚石薄膜 冷阴极器件提供了方便。 参考文献： [1】N．S．Xu，J．Phys．DAppl．Flays．，27，p1988(1994) 1(1996) f2]W．Zhu。J．Vac．Sci．Techn01．B14(3)，p201 a1．J．Vac．Sci．Techn01．B14(3)，p2030(1996) f31E．I．Givargizov,et