表面处理对p-GaN欧姆接触特性影响.pdfVIP

第十霸■士■他●啊_‘●●、t毫■件和生t-件掌乖t慨 ，It●2006●11月 表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响 赵德胜‘1x2)张书明‘1’朱建军(1’赵德刚‘1’段俐宏(1’张宝顺‘1’杨辉‘1) (”’中日科学院半导体研究光电子研究发展中心北京1∞083) (”’长軎理工太学长春130022) 摘要t本文研究了王永溶液对pGaN欧姆接触特性韵作用．在蒸锋欧姆电报之前采用王爿(溶液对表面进行处理．使p-0讲的比接 明王术可以有效的击豫了蚋拼袁面氧化柳，从而改善PoaN的歇姆接触特性． 差薯诃t主水ip．G丑N；N¨nT聍s；比接触电阻率‘ 1引言 以GaN为代表的Ⅲ一V族氮化物是最重要豹宽禁带半导体材料之一，由于GaN具有波长 覆盖广(覆盖了从红光到近紫外光)，好的化学稳定性和热稳定性等优越特性，因此在光电子 和微电子领域具有广阔的应用前景。然而，在GaN基器件制作工艺过程中主要问题之一是降 低p-GaN的欧姆接触电阻来提高GaN基光电子和微电子器件的效率和可靠性【l】。晟近有文献报 低的比接触电阻。本文报道了采用王水对p．GaN表面进行处理，使比接触电阻从8×104n·册2 降低到2．9×10。4Q．crH2。实现了金属与p-GaN橱良好的欧姆接触。 2实验 实验中的样品是采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的 GaN外延膜，膜厚约为1．5微米。生长过程中采用Mg掺杂，生长结束后在750℃下氮气气氛 中退火15分钟从而激活Mg原子，通过霍尔测量得到p-GaN的空穴浓度为2×10”／cm3。实验 中样品分成两组，第一组样品先用丙酮、乙醇清洗去除表面油污，然后用盐酸清洗3分钟 (HCl-缸eatgd)；第二组样品是在第一组样品的基础上把样品继续放在沸腾的王水里煮十分钟 (aqua 2400型源表测量了电 属剥离，然后在500C下N2、02混合气氛中退火5分钟。利用Kithley 极之间I—v曲线。为了表征王水处理后GaIN表面成分的变化，我们利用X射线光电子谱(XPS) 分析测量了王后处理前后p-GaN表面氧的含量。 3结果与讨论 ，PP-_●■化●●牛●怫．鼍蝗●悻JE，-件●蚌●’矗 图1(a)两组样品电极间距为60um的I-V曲线(b)两组样品c-TLM拟和图 盐酸处理和王水处理后样品的两个欧姆接触电极之间的I_v曲线如图I(a)所示，从 图中可以看出，王水处理过的样品的I_v曲线的斜率比盐酸处理过的样品的斜率大，说明王水 处理后样品的接触电阻降低，形成了好的欧姆接触。实验中我们采用用C．TLM方法pl计算比 接触电阻如图I(b)所示。计算得到的第一组和第二组样品的比接触电阻率分别为 8x10qo．硎2和2．9x104n．册2。 为了研究王水表面清洗方法对p-GaN表面的作用，用XPS测量分析了表面的氧含量，两 组样品的Ols的XPS测试结果如图2所示，从图中可以看到．王水处理后的样品Ols峰的强 度明显降低，表明氧的含量明显降低，通过计算得到氧的含量从6．7％降低到1．5％，表明王 水溶液能有效的去除p-GaN表面氧化层GaoI…。 坌crr皂3j甚c粤uI 图2盐酸和王水处理后样品曲aN表面Ols的XPS图 热平衡条件下金属和p-GaN之间有无氧化层的能带图分别如图3(a)(b)所示。金属和 p-GaN之间厚度为万的氧化层可使肖特基势垒高度增加聊。如公式(1)所示 g西B=gm占o+2七％(2聊z)托占 (1) 公式中Z是载流子从金属到P-GaN的平均隧穿势垒；m是载流子的平均有效质量； 2kT／fh(2。z)爿J是金属和p-GaN之间的氧化层引起的势垒高度的增加量a l十日lt_-_II．1t-”^tI^$^◆t Ec metal Ev m。＆ 叫卜万 (a