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硅单晶切割工艺中几个技术问题的探讨 赵品陈文杰张果虎秦福 北京有色金属研究总院 (100088) 摘要： 本文从分析内圆刀片工作时切削受力入手，从7j片定位、预拉仲、监控、冷却及补偿 和修整几方面讨论，如何减少切削阻力，提供高质量硅片。 jI言 随着国内器件市场的迅猛发展，器件产业发展壮大起来，对硅材料产品提d5 r更高要 求。为满足深哑微米超大规模集成电路对原材料硅晶片的要求，材料制各』艺技术面临新 的挑战。 砬切片工序是加T硅片成形的第一步，也是关键一莎，它直接影响出厂硅片的弯曲度 、翘曲度等参数。对硅片参数和收得乖的控制直接与整个制备T序的成本秘”觅舅}{标音f{驳 系。 如两切H机是硅J；加工丰要机型。7j”的使flj是切荆技术的核心丁艺j l’；l川’≈ c立e、j沦了如何邋过刘内圆刀”的特确安凝定他．刈剪：f一作状态的柏触、ii fll“，达刊刘酣Ji几们爹数I均精确拧t’j， j’自1『}jj麓7jJj。