旋转对Cz法硅晶生长过程中热输运和熔体流动影响的数值模拟.pdfVIP

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2017-08-10 发布于浙江
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旋转对Cz法硅晶生长过程中热输运和熔体流动影响的数值模拟.pdf

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44 1 人工晶体学报第卷第期 Vol． 44 No． 1 2015 2015 1 JOUＲNAL OF SYNTHETIC CＲYSTALS January ，年月 Cz 旋转对法硅晶生长过程中热输运和熔体流动影响的数值模拟，金超花朱彤 ( ，海200092) 同济大学机械与能源工程学院上摘 : 120 kg ，、、、要建立了一个单晶炉的二维轴对称全局模型分别对无旋转加入晶体旋转加入坩埚旋转同时加入晶。、体旋转和坩埚旋转的四种工况展开了数值模拟研究得到了晶体旋转及坩埚旋转对晶体生长过程的拉晶功率炉 ; 。内温度分布和熔体流动的影响得到了不同晶体长度下拉晶炉内的温度分布以及熔体流动的变化规律结果显，、 ; 示加入晶体旋转对晶体生长过程的拉晶功率温度分布和熔体流动的影响小于坩埚旋转的影响随着晶体长度的，。增加晶体旋转及坩埚旋转对温度分布和熔体流动的影响不断减小因此在单晶炉设计和优化过程中应考虑整个晶体生长过程。 :Cz ; ; ; ; ; 关键词法硅晶数值模拟旋转温度分布熔体流动中图分类号:TN304． 1 文献标识码:A 文章编号:1000-985X (2015)01-0031-07 Numerical Simulation on the Effect of the Ｒotating on the Heat Transfer and Melt Flow during the Silicon Crystal Growth Process by Cz Method JIN Chao-hua ，ZHU Tong (School of Mechanical and Energy Engineering ，Tongji University ，Shanghai 200092 ，China) (Ｒeceived 27 July 2014 ，accepted 26 August 2014) Abstract :A two-dimensional axial symmetric global model of 120 kg single-c