重构表面上Si薄膜生长模拟研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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重构表面上Si薄膜生长模拟研究.pdf

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重构表面上Si薄膜生长的模拟研究／王全彪等 · 37· 重构表面上Si薄膜生长的模拟研究。王全彪1’2，杨瑞东1’2，王茺1，杨宇1 (1云南大学工程技术研究院，昆明650091；2红河学院物理系，蒙自661100) Monte 摘要建立了Si(100)一(2X1)表面上si薄膜生长的KineticCarlo(KMC)模型，并对薄膜生长的初始阶段进行了研究。结果表明：在一定的入射率下存在一最佳成岛温度，该温度随入射率的增大而升高，并满足函数关系 T—To+6ln(F+c)。关键词 si薄膜生长动力学蒙特卡罗岛密度成岛温度 SimulationoftheGrowthofSiontheReconstucted WANG Yul Quanbia01…，YANG Ruidon91”，WANGChon91，YANG (1 ResearchInstituteof and 650091； EngineeringTechnology，YunnanUniversity，Kunming 2 of 661100) DepartmentPhysics，HongheUniversity，Mengzi AbstractThekineticMonte hasbeen of Carlo(KMC)model to theintial homo- developedinvestigatestage onSi(100)一(2×1)surface．Theresultsshowthatthereisan toformislandatacertain epitaxy optimumtemperature rate．The isfoundtorisewiththeincreaseof rate。whichshows deposition optimumtemperature deposition 109arith— mic rate depositiondependence，i．e．丁一To+6In(F+c)． words ofSifilm，kineticMonte Key growth Carlo，deposition rate，islandingtemperature 长过程通常由入射原子的随机沉积、吸附原子的表面扩散和脱 0 引言附(蒸发)过程组成，根据不同过程的发生速率进行随机选择。 si基纳米薄膜材料具有特殊的物理和化学性质，在光学、微由于在高达800K左右的温度时吸附原子也不会从基底蒸电子和光电技术等许多领域具有重要的应用前景，一直都是实发[173，因此本文的计算模型只考虑原子的随机沉积和表面扩散验和理论的热点研究对象。近年来，从Si(100)一(2×1)对si基