硼氮掺碳纳米管合成BC2N的电子结构和电学性质①.doc

硼氮掺碳纳米管合成BC2N的电子结构和电学性质① 严明，黄春晖 （福州大学物理与信息工程学院，福州，350002） 摘要：采用ROHF对硼碳氮纳米管进行构型全优化，并用密度泛函理论的DFT/ROB3LYP方法计算了硼碳氮纳米管的电子结构，根据其带隙、态密度曲线和原子成键图形，研究讨论了其导电性，并与碳纳米管和硼氮纳米管作了比较。 关键字：BC2N纳米管，带隙，态密度，成键，ROB3LYP 中图分类号O48 文献标识码A Electronic structure and properties of boron-nitride doped carbon nanotubes composite NC2N YAN Ming HUANG Chun-hui (College of physics and information engineering ,Fuzhou University, Fuzhou ,Fujian,350002,China) Abstract: Geometries of BC2N nanotubes were optimized by use the ROHF methods and electronic structure of BC2N nanotubes were calculated by ROB3LYP methods of density functional theory (DET), the conductivity of the nanotubes were discussed and stutied from bond gaps, density of states (DOS) and the bonding structure graphic, and were comparing with those of carbon nanotubes and Boron-Nitride nanotubes . Keywords: BC2N nanotubes，bond gaps ，density of states ，bonding，ROB3LYP 自1991年S.Iijima[1]发现碳纳米管(Carbon nanotubes,缩写成CNTs)以来，由于CNTs在导电和机械等方面的独特性能及在分子器件和复合材料等领域的潜在应用前景，CNTs作为一种准一维纳米材料，在世界范围内成为物理学、化学和材料学界的研究热点。CNTs可看作是由平面六边形网状结构的石墨卷曲而成的径向尺寸很小的碳管，由硼和氮原子形成的六方氮化硼（h-BN）具有与石墨相似的平面层状结构，且与石墨是等电子的。理论上预期h-BN也可以形成类似于CNTs的硼氮纳米管（BNNTs）[2]。1995年Nasreen.G. Chopra等人在等离子体辉光放电法首次合成了BNNTs[3]，这为进一步开展BNNTs实验和理论研究打下了基础。理论计算表明，CNTs的带隙（band gap,Eg）及其导电性，与它的管径及螺旋结构有关，可以是金属，也可以是半导体[4]-[7]。相反，BNNTs的带隙很大，大约为5.5eV，几乎和它的结构无关，因此，硼氮纳米管的导电性很差，具有绝缘体特征。 由硼氮掺杂合成的碳纳米管具有CNTs到BNNTs两者的物理和化学性质。目前，在实验上，掺杂碳纳米管通常由两种方法制得：1.利用碳纳米管为基，通过化学置换的方法，将碳原子置换成其它原子而得到掺杂的纳米管。2.利用扫描隧道显微镜(STM)，有目的地将碳纳米管中的个别原子移走，换上其他类型的原子，以获得期待的性质。在理论上，有关CNTs掺杂的研究很多，研究结果表明用掺杂、反应或引入5~7环等方法都能改变CNTs原有的能带结构，从而获得人们所需要的力学、光学和电学性质。相比之下，硼氮掺杂合成的碳纳米管的研究则不多见，因此有必要对硼氮掺杂合成的碳纳米管的电子结构与物性关系加以深入研究。本文利用ab initio从头计算的方法和DFT密度泛函理论方法对硼氮掺杂碳纳米管(称为BC2N纳米管或BC2NNTs)的电子结构和电学性质进行了研究，并与碳纳米管到硼氮纳米管做了比较。 一．计算模型和方法 本文采用zigzag型（10，0）BC2N纳米管作为研究对象，选择zigzag型（10，0）CNTs和zigzag型（10，0）BNNTs作为参照对象。计算模型结构如图1所示。BC2N纳米管有10层硼碳氮 CNTs BNNTs BC2NNTs 图1 纳米管的计算模型 Fig. 1 Models of NT