将对流边界处理成等温边界的当时处理方法.pdfVIP

中国工程热物理学会 论文■号 传热干簟质学学术会议 20∞315． 将对流边界处理戚芬噩边界的当量照理方法1 刘宏伟粱新刚马利勇 ’● 清华大学工程力学系，北京l∞0“ 、 电话：l呦72919，Em鲴：Ii帅黔醺弘妇g№edu．∞ 』● ■要：针对数值计算中的对流边界条件，提出了一种根据对流抉热系致将边界表面 处的导热系数进行修正的当量方法，修正后的边界成为等温边界条件，其温度为流 体温度．本文用该方法数值求解了一个简簟算佣，结果衰明新方法使整个数值选代 过程明显加快．该方法特别适用于加快边界条件都为对流换热情况时的计算收敛． t引言 分折芯片的导热情况是芯片设计过程中重要的一环．箍着半导体刳遗技术的进 步，电子器件不断擞型化。芯片的献热同量日益受封■目，越来越南的热藏蠹度使 传统的芯片冷却技术受到空前的挑战．因此，半导体器件特别是芯片内部的导热闯 题成为一个重要的科研课题．由于芯片的外形往往比较复杂，各个表面经常处于对 流换热状态，如果按常规方法即把边界条件直接按对流换热来处理．则求解过程十 分缓慢。为了加速求解过程，本文提出了一种处理芯片导热问题边界条件的新方法。 2处曩边界条件If方法的数学分折 在芯片导热问题中，其基本的教学方程是 、 热传导方程(n，边界条件常常是第三类边界条 ， 件，即对流换热边界条件．然而，直接利用对 t ’ ● 流换热边界条件来数值求解温度场难于收敛． 为了解决这一问题，本文采用了新方法处理边 一 界条件，具体分析如下。 首先根据芯片的实际外型尺寸划分计算网 格。为了方便，这里仅取所研究器件衰萄第一 衰晤 层月格进行说明．如图l所示，潦■方框表示 热阻。真实情况如图1(a)，f为外界流体内结 {b) 点，w为表面结点。此时．直接利用常规方法 圈l两种方法处理表面边界条件的同格 即对流换热边界条件求得表面的纵向热流为 演示 车项目获田家自然科学基金赍助(59卵55蛐) m g=譬=去毛 一 1氏』h唧Jh+R．， 其中‰和～分别为结点(i。j)到表面的导热热阻及表面与流体的对流换热热阻· 本文提出的处理边界条件的方法的基础是保持表面对外散热热流不变．从而保 持计算域内部的温度分布不变．首先，把表面层温度直接赋值为外界流体温度，如 图l(b)所示，边界w用f代替。这样通过表面的热流由下式求得 ‘ (2) 扣冬芦 一 吼J卜， ●r