SU-8紫外深度光刻的误差及修正.pdfVIP

维普资讯 第 15卷 第 12期 光学 精密工程 Vo【-15 No．12 2007年 12月 OpticsandPrecisionEngineering Dec．2007 文章编号 1004—924X(2oo7)12—1926—06 SU一8紫外深度光刻的误差及修正 郑津津 ，陈有梅 ，周洪军。，田杨超。，刘 冈4。，李晓光 ，沈连娼 (1．中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，安徽合肥230027； 2．国家同步辐射实验室，安徽合肥230029) 摘要：在深紫外 LIGA加工中，制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于 SU一8光刻胶对紫外光的吸收系数 随着波长变短而很快变大 ．而且其穿透深度也相应迅速变小；同时 由于紫外光的衍射效应 ．获得高精度 的大高宽比结构 并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素：衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜 的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统，该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行 了分类，在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域，在每一校正区域 内进行校正优化处理和校正评价，这种基于模 型的分类分区域评价思想，使得校正过程有效且实时，该校正方法不仅降低 了校正的复杂性，同时提高了校正的效率 。 关 键 词 ：SU一8光刻胶 ；紫外深度光刻 ；掩模 ；图形转移 ；误差修正 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A Correctionofpatterntransfererrorsfor SU-8UV deep lithography ZHENGJin—jin ，CHENYou—mei，ZHOU Hong-jun ，TIAN Yang—chao， LIU Gang 。LIXiao—guang ，SHEN Lian-guan (1．DepartmentofPrecisionMechineryandPrecisionInstrumentation，UniversityofScienceand TechnologyofChina，Hefei230027，China；2．NationalSynchrotronRadiationLaboratory， UniversityofScienceandTechnologyo／’China，Hefei230029，China) Abstract：ThediffractionandabsorptionofUV lightinSU一8resistmakesitverydifficulttofabricate highprecisionmicrostructureswithhighaspectratiointheprocessofUV LIGA，becausetheabsorp— tioncoefficientgetsbiggerandthepenetrationdepthgetsshorterrapidlyasthewavelengthgetsshor— ter．Therefore，such factorshaving effecton theprecision ofdeep UV lithography asdiffraction effect，exposuredosage，wavelengthanddistributionofflyseyeslensetc．，areinvestigatedinthispa— per．A method ofcorrecting pattern transfer errors isdeveloped through investigation ofpattern transfererrors．Proposedmethodadoptsthefeatureclassification a