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活性离化团束沉积的研究 唐德礼 摘要 在材料表面改性领域，离化团束(ICB)沉积技术在半导体和其它功能膜方面应用闩益 物薄膜。本文简单介绍了在我们研制的离化翻束沉积实验装置上进行的活性离化团束沉积 实验，硅片上进行的活性沉积A1N薄膜的俄歇电子能谱分析表明，AIN的含量约为12％。 活性沉积薄膜的AFM图象表明其表面粗造度的均方根值为0．293nm。 1．前言 等人通过一个唢嘴利用高温蒸发和膨胀进入真空形成了室温阎体翻粒[1]，从j比J1：始了离化 团束沉积技术的发展。在离化闭柬沉积设各基础之上，通过在沉积室引入活I}!；：气体，在基 片表面形成氧化物、氧化物和氮化物．这称为活性离化团束沉积。对丁活性离化冈束沉积 通过控制离于的动能和到达；L川的离子比牢能控ffiIF；Ji形成化合物薄膜的化学汁造成分和晶 体结构。在制备不同利t类的化合物功能膜诸如超硬膜和绝缘膜等方嘶具有娃著的优点。目 ，，肯两种4：川的活。rI：离化旧I爪乃C私¨支术【2]，筑种足简I‘口地将河性气体0f入0(积室，j ；_J沉积室。我们采}}j了第+种力浊，在离化团束0i秘装臀I二留有活性气f1、导入1J。 2．实验 我们利用如图一所示的ICB和RICB 沉积实验装置进行活性离化团束沉积：县 验。它包括以p儿个部分：加热区、lUI恕 区和沉积区。在加热区外有水冷铜套以降 低真空室内环境温度，在电离区}：方铂活 性气体导A．4L以便1i蚺性离化I丑1束沉B{。 其基本原理为：加热区内，通过电产碰撞 加热坩埚，使坩埚内待蒸发材料从坩埚上 方的喷嘴喷射出柬，喷射出的蒸汽流经过 图一ICB象l 绝热、超声膨胀而彤}j梵的团粒被屯离E的 RICB沉积裟置示意削 电子碰撞电离，随后被加速向处于沉积区的工作基片，在基片表面同活性气体反应形成化 合物薄膜。我们简单地将活性气体直接引八真空室，其中进入电离区的部分被电离，被电 离的气体将同电离团粒‘起被加速向_I作越．片。实验中，我们选择AI(纯度95％)作为待 内真空度为1×10如Ia，加速电膻3kV，!{￡几f乜流170“A，沉积30分钟。 3．结果与讨论 X 实验I{j，我们洲试了在不通N，的’陆况lj保持j0他沉彤{条件／『：改变，止l；llq5-_／叟JJ 0一Pa．我们发现拍：加速fU压仍为3kV ii,I所获得的基片电流为1009A。显然，通N：后基片 电流的加大是t4i于f乜离区内的N：被电离所致。这与我们实验前的设想是一致的。因此，实 际的沉积过程就是中性的和电离的团粒与中性的和电离的氮气的共同作用下形成化合物薄 膜。为了了解活性沉积膜的化合物含量及膜的表Ifii形貌，我们将l述条件下得到的活性沉 离化团束沉积所形成的化合物含量较低。从图inq原子力显微测试所获得的膜表面图象可 以看出膜表面很光滑，洲试的表而栩造度的均方根值为O．293nm。“T见，离化团束沉积的 表面粗造度已接近原子量级。MIt我制洲试亍在相『剃沉积条件下(未通N，)所获得的AI 膜的表面粗造度的均方根值为O．367nm，可见活性离化团束沉积可降低成膜的表面粗造度。 6”“‘ ””6”“6”7话乩IS”4 幽_二砖片上活性0[税膜的屯flaili笙|二二AI的活性沉烈膜的AFM H象 4．结论 通过活性离化冈束沉积实现』’在常扎．I强』jj：形成AIN薄膜，从实验结果的俄歇能瞒分 析来看·其化合物含量较低，这是山于简单地将7t体直接导入沉秘窄无法控制气体离子能 量和离子比率a如采用第二种活性沉秘方法或同时使用离化团束源和微波离子源【3】进行活 性沉积将显著改善化合物薄膜的含量和性能。这是我们今后活性离化团束沉积技术发展的 勺D