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应变si材料.ppt
* 应变Si材料 10微电2 曹正恺 应变Si材料 随着芯片制造技术的不断改进，硅原料物理性能方面的一些不足已逐渐成为了进一步提高芯片运行速度的绊脚石。为此涌现出一系列的新技术用来改进这种状况，包括应变硅（Strained Silicon）。 在CMOS器件中，向Si沟道材料中引入一定的应力，可以改变载流子在Si沟道中的输运特性，提高Si沟道的载流子迁移率。采用应变硅这种沟道材料，可以提高纳米尺度CMOS器件的速度性能，并不增加泄露电流。因此，利用应变Si材料来提高沟道载流子迁移率的技术已经被工业界广泛采用。 应变Si材料 研究表明，Si沟道载流子迁移率的变化与施加应力的方向有很大的关系，只有在特定方向上施加应力，才能有效提高沟道迁移率。 在CMOS集成工艺中，需要在n沟和p沟MOSFET中同时引入应力。可以分别有效的提高相应沟道的有效迁移率。那么具体如何实现呢？ 应变Si材料的结构示意图：纯硅在发生原子间力应变后晶体结构线性扩张的示意图 我们需要用到两种材料 GeSi和SiN。 应变Si材料 在pMOSFET，利用GeSi作为源和漏端材料可以引入沿沟道方向的单轴压应力。 在nMOSFET，利用栅极的SiN覆盖层引入沿沟道方向的单轴张应力。 这两种应力的大小可以单独调节，互相不影响。于是我们就实现了在CMOS器件中引入沟道应力同时提高n沟和p沟MOSFET的性能。 此图为GeSi中，Ge组分的含量，与应变值的关系 应变Si材料 此外，SiN比较特殊。研究发现，SiN覆盖层不仅可以向pMOSFET的沟道引入沿沟道方向的单轴压应力，也可以向nMOSFET引入单轴张应力。因此利用SiN覆盖层技术可以提高n沟和p沟两种类型MOSFET的有效迁移率。此外，将SiN覆盖层应力引入技术分别应用到nMOSFET和pMOSFET器件中，使他们的饱和电流分别提高了15%和32%。 *
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