扰动法非线性晶体生长过程数值模拟研宓.pdf

电子工业专用设备 Eguipment for Electronic Products Manufacturing IC 制造与设备 扰动法非线性晶体生长过程数值 模拟研究 ! 王 岩 李敏远 西安理工大学自动化与信息工程学院 陕西西安 ! !##$% # 摘 要 采用扰动法对使用 法非线性晶体生长过程中提拉速度和熔液平均温度场 ! CZ !CZochralski 进行了数值模拟研究# 实验结果可用于实现晶体等径生长中提拉速度和熔液平均温度的预测控 制 研究表明 熔液平均温度 提拉速度 不变时 提拉速度 熔液平均温度 随环境毕奥数的增加 $ # ! # ! 和 或熔液毕奥数的减小而增大 进一步研究 熔液若不会组分过冷 可以得到提拉速度的最大 / $ # # 值 并在整个生长过程中 必须控制提拉速度小于它的临界上限 否则晶体生长过程将失败 # # # $ 关键词!晶体生长$扰动法$数值模拟 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TF806.9 A 1004-4507(2005)08-00 19-06 Numerical Simulation Study on Nonlinear Crystal Growth Process Using Perturbation Method WANG Yan ，LI Min-yuan （Xian University of TechnoIgy,Shan Xi Xian 7 10048, China） Abstract ! The nonIinear dynamic process of CzochraIski crystaI growth (CZCG)is studied by the pertur- bation method. The soIutions of this method can be used to predict, guantitativeIy, how a crystaI growth with constant crystaI radius is perfectIy controIIed by the desired of crystaI puII rate and buIk meIt tem- perature. It is found that for growth under constant buIk temperature (puII rate),the puII rate (buIk meIt temperature)wiII increase with increasing ambient Biot number and/ or decreasing meIt Biot number. Fur- thermore, if the meIt cannot be supercooIed, we can formuIate the maximum puII