典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 计算物理分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟 韦 源，贡 顶，牛胜利，黄流兴 （西北核技术研究所，陕西西安 710024 ） 摘要：根据深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要，将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体 积法相结合，实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟。利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ 射线脉冲辐照下的瞬态响应过程进行模拟计算，与 Enlow 光电流模型和实验结果进行了比较，验证了所建立的方法 和程序。计算研究了二极管反向光电流随剂量率的变化关系，以及外延层厚度、脉冲宽度对瞬态光电流的影响。结 果表明外延层限制了光电流吸收体积，外延层越薄，光电流峰值越低，下降速度越快；对于相同吸收剂量，脉宽越 窄，光电流峰值越高。 关键词：蒙卡方法；有限体积法；半导体器件；剂量率；辐射效应 辐射效应的数值模拟是目前研究半导体器件抗辐射性能的一种重要技术手段。研究工作中常采 用MEDICI 、ISE 等商业模拟软件对半导体器件在空间辐射环境下的行为进行模拟计算。但这些软件 不能完全满足实际需要。以器件γ 剂量率辐射效应模拟为例，这些商业软件在描述射线粒子在器件 [1] 。载流子生成率分布可表示为 内部产生的光生载流子分布时通常使用解析公式法 G (l, r,t) T(t)⋅R(r)⋅L(l) (1) n,p 随着半导体工艺进入深亚微米，器件特征尺寸不断缩小，新的辐射现象和失效模式出现，如微 剂量效应[2] 。在这种情况下，解析法的适用条件已不再成立。本文根据超深亚微米工艺器件辐射效 应研究的需要，建立了蒙特卡罗方法与有限体积法的耦合算法，并结合自主研发的二维半导体器件 模拟程序GSS[3] ，实现了辐射输运与器件辐射效应的一体化模拟。 1 耦合方法 9 γ 图1 所示为10 个能量为1.25 MeV 的 射线光子在尺寸为500 µm×500 µm×1 µm 的器件中电离 生成的载流子浓度分布。 从图1中可看出，对于γ 射线脉冲均匀照射在器件表面这种情况，可以认为光生载流子浓度分布 大体上是均匀的。某网格点i 的光生载流子浓度作为源项G x, y 耦合至图2所示i 点连续性方程中， i ( ) 经过有限体积法[4]离散后得到以下两式。 61 16 1.6x10 16 1.5x10 16 1.4x10 3 m c / 1.3x1016 度 浓 1.2x1016