InGaN合金MOCVD生长和光电极制备.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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第十五詹全国化合物半·争体、微波器件和光电罚·件掌术喀，议 I-州’08 P038 InGaN合金MOCVD生长及光电极制备刘斌1，罗文俊2，张荣件，邹志刚2谢自力1，李朝升2，修向前1，陈敦军1，韩平1，郑有蚪1 (1江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学物理系，南京210093 2环境材料与再生能源研究中心。南京人学物理系，南京210093) 金的晶体结构和光电学性质。发现富Ga组分的lnGaN合金相对j：富In组分的lnGaN具有较优异的晶体质量和较低的本底电子浓度，并结合光致荧光和光吸收手段分析了合金对能带带隙的调节作用。本文还研究了基于InGaN合金制备的光电极，发现上作于水稀释的HBr电解液中的lnGaN光电极在可见光辐照下具有稳定的光电响应。lnGaN光电极的光电量子转换效率最高达到9％，为利用太阳能提供了一种新途径。关键词： InGaN合金，能带弯曲参数，光电极，光电响应中图分类号：文献标识码：文章编号： GrowthofInGaN MOCVDandfabricationofInGaN．based alloysby photoelectrodes Bin Zou2，Zili Li2， Liul，WenjunLu02，RongZhangr，ZhigangXiel，Zhaosheng Hanl，Youdou XiangqianXiul，DunjunChenl，Ping Zhen91 2EcomaterialsandRenewableResearch Energy Center,DepartmentofPhysics，NanjingUniversity,Nanjing210093,China) Abstract：TheofInGaN chemical growth alloys vapordeposition(MOCVD)isinvestigated．Thecrystalline bymetal—organic aswellas andelectric ofInGaN are isfoundtheGa-richInGaN havebeRer properties optical properties alloysanalyzed．It alloys andlower electronconcentrationoftheIn-richInGaN InGaN band is crystalline alloy’s quality background compared alloys．The gap studiedmeansof and measurements．ThelnGaN-based arealso absorption photoelectrodesinvestigated． by photoluminescenceoptical The in HBrsolutionexhibitstable tovisible incidentconversion photoelectrodesworkingaqueous response light．The photon efficiency to one solar