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An Introduction to Database Systenm 船舶无线电技术基础 上篇 模拟电路 第1章 半导体二极管 及其基本应用电路 大连海事大学信息科学技术学院主讲教师：杨梅 1.1 半导体基础知识 物质按导电能力分为： 导体：银、铜、铝。 绝缘体：橡胶、塑料。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间。 常用材料：硅（Si)和锗（Ge)。 Si和Ge都是4价元素。 1.1 半导体基础知识 本征半导体：完全纯净，结构完整晶体 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质。 分两类：N型半导体；P型半导体 N型半导体 1.1 半导体基础知识 p型半导体 1.1 半导体基础知识 PN结的形成 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 PN结的单向导电性 1.1 半导体基础知识 PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性 PN结正偏，正向电流是多子的扩散电流，数值很大,PN结处于导通状态。 PN结反偏，反向电流是少子的漂移电流,数值很小，PN结处于截止状态。 1.2 半导体二极管 1.2.1 结构 PN结封装后，引出两个电极就做成半导体二极管 。 1.2.2 二极管的特性 单向导电性 1.2.2 二极管的特性 伏安特性 1.2.2 二极管的特性及应用 伏安特性 1.2.5 特殊二极管 1.2.5 特殊二极管 1.3 晶体二极管的基本应用电路 直流电源设备的组成框图 1.3 晶体二极管的基本应用电路 1.3.1 整流电路 整流电路利用二极管的单向导电性 整流：将交流电压变换成为单方向脉动输出 整流的分类 半波整流 vi正半周时，二极管导通 vi负半周时，二极管截止 ∴ 输出为半周的正弦脉冲电压 1.3 晶体二极管的基本应用电路 全波整流——桥式整流 1.3 晶体二极管的基本应用电路 1.3.2 限幅电路 利用二极管的单向导电性。 工作条件:大信号(VDVon),忽略Von，相当于开关。 当VD0时,正偏导通，相当于开关闭 合。 当VD0时,反偏截止，相当于开关断开。 《二极管》小结 二极管的结构： 由P型半导体和N型半导体有机结合而成 P型半导体：空穴为多子，自由电子为少子 N型半导体：自由电子为多子，空穴为少子 PN结：具有单向导电性。 正偏导通：正向偏置，P接“+”，N接“-”。 反偏截止：反向偏置，P接“-”，N接“+”。 二极管的特性： 伏安特性 正向特性：外加电压死区电压， 外加电压死区电压，曲线呈指数特性 反向特性：不导通，无电流（反向饱和电流Is） 《二极管》小结 反向击穿特性：通过电流变化较大，两端电压基本不变 使用注意： 内阻很小，要加限流电阻 电流：IZmin：最小稳定电流；IZmax：最大稳定电流 二极管的应用 整流：半波整流、桥式整流；利用二极管理单向导电性 限幅：利用二极管开关特性。 稳压管：利用二极管击穿特性。 变容二极管：利用二极管电容效应。 +4 惯性核 价电子 共价键：两个原子结合时通过形成共有电子对而产生的化学键 本征激发： a)在T=0K=-273oC时，价电子不能挣脱共价键的束缚。 b)温度升高或强光照射，少数价电子挣脱共价键的束缚变成能导电的自由电子。 本征激发示意图 本征激发示意图 半导体导电能力受温度影响： T↑→载流子浓度↑→导电能力↑ 半导体中有两种载流子 ： 自由电子和空穴。 电子-空穴对数目与温度有关。 T 越高，电子-空穴对的数目越多。 动画演示 N型半导体的晶体结构 多子：自由电子；少子：空穴。 施主原子：杂质原子（磷P） 掺入微量五价元素：磷P P型半导体的晶体结构 多子：空穴；少子：自由电子。 受主原子：杂质原子（硼B ） 掺入微量三价元素：硼B 空位 杂质半导体导电能力： 杂质数目↑→多子浓度↑→导电能力↑ T↑→少子浓度↑→导电能力↑ 少子 空穴 P N 多子 自由电子 少子 自由电子 多子 空穴 单个的P型半导体和 N半导体均为电中性 动画演示 1）扩散运动：由于存在浓度差使物质由浓度高的地方向浓度低的地方移动。 结果：P 区中留下了不能移动受主负离子。 N 区中留下了不能移动施主正离子。 P N 扩散运动 内电场 漂移运动 N P 空间电荷区 （耗尽区） 2）空间电荷区的形成： P区失去空穴而留下了负离子，形成负离子区。 N区失去电子而留下了正离子，形成正离子区。 这个不能移动的正、负离子的所形成的