硅基锗材料外延生长及其应用.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜学来会议 南宁2010 硅基锗材料的外延生长及其应用 成步文薛春来薛海韵胡炜玄汪巍苏少坚张广泽罗丽萍左玉华王启明 中国科学院半导体所，集成光电子学国家重点实验宦，北京100083 摘要：硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅摹高迁移率材料，同时也是重要的 硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延 生长，讨论它的可能应用，重点介绍它在硅基高效发光器件、硅基高速低功耗光调制器、硅基高速 长波长光电探测器等方面的应用研究进展。 关键词g硅基；锗；外延；发光；光电探测器；调制器 1．引言 硅是最重要的半导体材料，在信息产业和清洁能源方面起着不可替代的作用。如同前电子器件 和集成电路中90％以上足用Si制作的，太阳能电池中90％以上是硅人阳能电池。但足硅材料也有一 些物理局限性，比如它是间接带隙半导体材料，它的载流子迁移率低，所以硅材料的发光效率很低， 器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材料，可以充分发挥各自的优点，弥补硅材料的 不足。 T艺很好兼容，而且Ge可以用 锗(Ge)与Si同属Ⅳ族材料，与Si性质比较接近，可以与Si 于制备多种光子学器件，还是高迁移率半导体材料，所以硅基Ge材料成为一种重要的硅基异质半 导体材料，受到人们的高度重视。 本文介绍硅衬底上的锗材料外延生长，讨论硅基Ge材料在微电子和光电子等方面的可能应用， 重点介绍它在硅基集成光电了器件研制方面的应用。 2．硅基Ge材料的外延生长 虽然Ge和Si具自．相同的金刚石结构，但是由于Ge的晶格常数比Si大4．2％，在硅衬底上外延 生长高质量的Ge材料是一项富于挑战的工作。我们采用超低温过渡层技术，用超高真窄化学气相 淀积方法，研究硅衬底上Ge材料的外延生长，制备出了品格质量优良的硅基Ge材料。外延的硅基 Ge材料表面光滑甲整，均方根粗糙度lnm。RBS(卢瑟福背散射)沟道谱和随机谱测试表明，沟 道产额与随机产额之比为3．4％，与Si衬底的结果基本相当，表明材料的晶体质量很好。1400nm厚 的Ge材料的XRD峰值半高宽只有128弧秒，峰强Im对称，没有界面互混。腐蚀坑实验表明，穿透 界面处，并且沿界面具有周期性排列结构，周期约9．7nm。如果假设应变完伞以Lomer位错的形式 在界面释放，可以理论计算出位错的周期为9．6nm，实验结果与理论结果能较好吻合。正是由于应 变主要以Lomer位错的方式在Si／Ge界面释放，而这种位错平行于生长界面，不会向外延层中延伸， 从而保障Ge外延层具有良好的晶体质量。 3．硅基Ge材料的应用 硅基Ge材料的可能应用比较多，从而吸引了众多科技丁作者投身于硅基Ge相关器件的研究中。 首先Ge的迁移率比硅高很多，特别地，Ge几乎是宅穴迁移率最高的半导体材料，所以硅基Ge材 MOSFET器件的研究方面做出了 料被认为是延续CMOS摩尔定律的高迁移卒材料，人们在硅基Ge 大量的工作。其次Ge有比Si优良的光电特性，在硅基光电子器件研制方面有很大优势，成为近年 研究的热点。再其次，Ge的晶格常数与GaAs材料的晶格常数很接近，所以硅基Ge材料可以作为 GaAs系列材料外延的衬底，从而生长高质量的硅基化合物半导体材料，为化合物半导体与Si的融 合做贡献，推动硅基光电集成等的发展。这里，我们将重点介绍硅基Ge材料在硅基光子学器件方 面的应用。 第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 3．1硅基Ge高效发光和激光器 砖基激光器是硅基光电子学研究中最重要也足最难实现的光子器件。虽然已经研制出几种结构 的硅基激光器，但是电泵浦的与硅工艺兼容的硅幕激光器闷前并没有实现。SiRaman激光器是一种 光泵激光器，而键合方法制备的硅基化合物半导体激光器与硅工艺不兼容。所以人们还在努力探索 实现砖基激光器的途径。Ge可以与Si工艺兼容，虽然它与si一样都足间接带隙半导体，但是其间 接带隙与直接带隙相差比较小，约140meV，所以在Ge材料中直接带辐射复合跃迁的几率比较人。 通过应变可以进一步减小直接带隙与间接带隙的