纳米絮状碳膜的制备和场发射特性.pdfVIP

6日-20 第l七届幸国*导体物月学术会议论立囊 中闰·K存2009年8HI 纳米絮状碳膜的制备及场发射特性 椽噶荫，顾广瑞 延边大学理学院延吉l33002 eAucn Email；grgu@ybu 引言： 碳纳米材料的研究已经成为当前国际E研，￡的热点之一。d¨。纳米结构碳膜只有低阈值 电压和高发射In流的特性，因此其场发射研究越来越受到人们重视。本文采川fn于同旋共振 化学气相沉积(ECRcVD)技术制备碳膜，此矗洼克服r般CVD方法-l-的高温、高压条 rⅡ强掰岛厩时纳米结构碳膜。 件下反应气体易与摹片或设备髓‘F反应的缺点，从m 1实验 利用ECR-CVD装置，真空室-I嗵入CH4和H2混合气体，在Si基板制备了纳米絮状碳 膜。反应‘￡压为10Pa，微波功率为5kW，CH4浓度为2％～8％，基扳偏￡【=为·30VⅧ60V 7叫矿Pa) 沉积前，木底真空低于l3×I矿Pa。在高真空(6 沉积时间为80roin～240㈨i 系统中测量了场发射特性，碳膜作为阴极．金属铝片作为阳极．电极问利用厚度为1肿岬 2，电压变化范m为0v～LOOOV。 的特氟纶隔开，样品面秘人约为IOmm 2．结果与讨论 通垃比较，得到了纳米絮状碳膜的地件制备条件：基板{l；j压为-50V，沉g耐问为160rain， c乩浓度为8％。图1为蛀佳条州下制备的碳膜的SEM照片，表明样品具辛『纳米絮状结{句的 340ern．1和1582cm。处有两个明显的Raman谱 表面形貌。图2为样品的拉曼光谱，大约在I 峰，表明样品具有典型的非品碳膜结构。利用电流密度一电场强度(J-E)关系和 间为160min、不同cIh浓度条件F得到的样品的J-E曲线。由吲可知随着cI{4浓度的增加， 闽值电场逐渐降低；电场为10V／lira时，发射电流密度逐渐埔加。cH{浓度为8％的碳膜阐 2mMcm2。两CH4浓度的纳米絮状碳 值电场为5V／11m，电场为10V／“rn时，发射电流达到3 膜具有较好的场发射特性，归Ⅲ十高CK,浓度(低№浓度)使得碳膜。}，具有导通作用的sP 碳簇增加，从而可能降低表面势垒、提高Fermi能级．有利r场发射特性的提高。 3．结论 采用ECR-CVD技术成功制备r纳米絮状碳膜。c出浓度对样品的场发射特性有很^影 响，随着Clh浓度的增加，阈值电场逐渐降低，发射电流衔度连渐增加。 田IcH‘谏度为8％的碳腱的 目2CH。浓度为8％的碳腕的 阁3币同C也沫哑的 托曼光请 碳膜的JE自