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基于Talbot效应的电光调制位相阵列器.pdf
第 43卷第 ll期 红 外与激光 工程 2014年 11月
VO1.43NO.11 InrfaredandLaserEngineering NOV.2014
基于 Talbot效应的电光调制位相阵列器
张进宏 ,陈云琳
(北京交通大学 理学院,北京 100044)
摘 要 :利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备 圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列
器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和 实验研究,得到 了不同位相差和不 同分数
Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测 图像 ,实验结果与理论研究相符 。计算衍射
场取样 区域 内平均强度 ,获得取样区内强度随位相差和 Talbot距 离变化的曲线 ,揭示 了位相差和衍射
位置对阵列器衍射强度分布的影响。
关键词:位相阵列器; Talbot效应; 铌酸锂 ; 电光效应
中图分类号 :0436 文献标志码 :A 文章编号 :1007—2276(2014)11-3724—05
Electro-optictunablephasearraybasedon Talboteffect
ZhangJinhong,ChenYunlin
(SchoolofScience,BeijingJiaotongUniversity,Beijing100044,China)
Abstract:The tunable phase array with hexagon—lattice and round cellwasdesigned and fabricated by
use ofperiodically poled LiNbO3crysta1.Theoreticaland experimentalresearcheson the Talboteffect
diffractionofphasearraywerepresented.Thesimulatedandexperimentalpatternsofnearfielddiffraction
under various phases differentand rfaction Talbot distance were obtained.The results ofexperiment
agreed with the results ofthe theoreticalresearcheswel1.Average intensity of the selected area in
diffraction field wascalculated to gettherelative intensity ctlrvesversusphase difference and distance.
Theeffectsontheintensitydistributionofnear—fielddiffraction from phasedifferenceandTalbotdistance
wererevealed.
Key words:phasearray; Talboteffect; LiNbO3; electro—opticeffect
收稿 日期 :2014—03—12: 修 订 日期 :2014—04—17
基金项 目:国家 自然科学基金 ;中央高校基本科研业务费(2011JBM122,2011JBZ013)
作者简介 :张进宏 (1975一),男,丁程师,博十生,主要从事光学材料及光子学微结构器件 的研究 。Email:jhzhang@bjtuedu.cn
导师 简介 :陈云琳 (1965一),女 ,教授 ,博 +生 导师 ,主要从事光 子学微结构材料 与集成 光波 导器 件 、多孔 环境 材 料制 备与 改性
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