晶体硅太阳电池SiNz∶H%2f热氧化SiO2双层结构表面钝化特性研究.pdfVIP

．46．第十届中国太阳能光伏会议论文集 i i 02双 晶体硅太阳电池的SNx：H／热氧化S 层结构的表面钝化特性研究 周春兰+，唐煜，王文静，赵雷，李海玲，刁宏伟 中国科学院电工研究所，北京，100190 摘要 化Si02的双层表面钝化及减反射薄膜对电池性能的影响，并与单层的PECVDSiN。：H薄膜进行了对比。研究 结果表明这两种方法都对P型晶体硅基片以及n+发射极都具有较好的钝化效果。但是双层结构不仅具有较好 的表面钝化效果，而且在经过短时的高温氧化工艺之后，还能够保持晶体硅材料的高的体寿命值(209s)， 从而获得较高的转换效率。 关键词 太阳电池；表面钝化；Si02薄膜；SiN。：H薄膜 1前 言 在太阳电池工艺中，较为合适有效的是硅表面的低温钝化技术。基于热氧化的硅表面标准的高温钝化方法 一般在10000C，这么高的温度将会导致大部分的多晶硅材料的体少子寿命降低，另外从成本与产出方面考虑， 这种高温过程也是不理想的。TiO；薄膜的折射系数虽然接近于晶体硅太阳电池最佳光学减反射膜的理论值，但 不仅具有对于晶体硅太阳电池较为合适的折射系数(2．0．2．2)，而且呈现了较好的钝化性能，是一种用作晶体 硅太阳电池减反射及钝化薄膜的理想材料，其制备工艺，钝化及减反射性能越来越受到人们的重视。由于其具 【2】。 氢化氮化硅薄膜在商业化的晶体硅太1阳电池生产中也得到大范围的应用。然而，尽管SiN。：H薄膜相对于 Ti02和Si02薄膜在晶体硅太阳电池制备中具有一定的优势，但是这种钝化膜在长时间的退火处理之后会出现 表面钝化性能的衰退，另外，为了得到最好的钝化效果，薄膜的沉积参数需要彻底地优化。因此，为了解决 能，使其能更好地满足晶体硅太阳电池光学减反射及钝化的理论要求【3】。本文系统地研究了SiN。：H／Si02双层 构的薄膜对晶体硅的钝化特性。最后，将这种薄膜结构应用到产业化的生产线中，研究其在低成本高效太阳电 池中的应用可能性。 掌通讯作者：周春兰，女，副研究员。—zhouchl@m—ail．iee．ac．en 晶体硅太阳电池及材料．／47． 2实 验 膜，薄膜的厚度为80rim。按照产业化的生产步骤，在每个工艺之后都对样品进行少子寿命的测试，测试设备 为WT-1000，每个样品测试5个点，然后求其平均值。 2．1钝化效果的比较 2．1．1对P型硅片的钝化效果 之后的测试是直接进行，没有进行表面的钝化处理。为了对比单层氧化硅、氮化硅薄膜，以及双层薄膜的热稳 定性，在沉积薄膜之后都在烧结炉里按照太阳电池的烧结工艺进行烧结，测试其在烧结前后的少子寿命变化， 结果如图l所示。 8 $扩’，、一 一‘一，…。：…‘。‘。’“。2嘲 f 了 6 n6 L_一 三5 三5 ●一 篓a ；a 茳s -一 塞s l 1 讯2 ’一 z 蕊浏 l，j l 扪 玩 _一 ! 烟． 。k一。 醯矗