离子注硼n型太阳电池退火特性研究.pdfVIP

第第 14 届中国光伏大会（届中国光伏大会 （CPVC14 ）论文集）论文集 第第 届中国光伏大会届中国光伏大会 （（ ））论文集论文集 离子注硼离子注硼 n 型太阳电池的退火特性研究型太阳电池的退火特性研究 离子注硼离子注硼 型型太阳电池的退火特性研究太阳电池的退火特性研究 梁 鹏，韩培德，胡少旭 （中国科学院半导体研究所，北京 100083 ） 摘摘 要：要：对比研究了离子注硼发射极n 型太阳电池的快速热退火和恒温炉管退火特性。 摘摘 要要：： 通过TCAD 软件模拟和SIMS 测试，从理论上研究了硼杂质和团簇缺陷的扩散分布规律。 通过少子寿命测试（QSSPC ）得知，增加热预算将显著提高载流子激活率，降低发射极 饱和电流密度。制备了钝化发射极太阳电池，从器件水平上研究了退火条件对电池性能 的影响。结果发现利用恒温炉管退火 20min 的电池效率最优，达到 18.85%，而采用更 低热预算退火条件的电池性能较差。 关键词：关键词：注硼发射极；注入损伤；n 型硅；快速热退火；TCAD 模拟 关键词关键词：： 1 引言引言 身定制的离子注入机得以上市[4] ，并已经 引言引言 为了实现高效太阳电池，高质量发射 能制备出具有非常低的饱和电流密度和 [5] 极的制备是十分重要的。传统意义上，发 超过 20%效率的离子注入电池 。利用这 射极一般采用高温炉管扩散技术制备而 样的离子注入机配合原位掩膜的方法，可 成，而目前离子注入用于制备发射极这一 以很方便的实现选择性掺杂方法，这在选 新兴技术越来越受到太阳电池界的欢迎。 择性发射极电池，插指背接触电池领域具 在 80 年代，Edward 和他的同事们就对离 有得天独厚的优势[6] 。 子注入发射极太阳电池进行了详细的研 目前商业化电池片仍以 p 型电池为 究，系统优化了电池效率的影响因素以及 主，只有很少的企业和研究单位从事 n 型 退火条件[1] 。后来，有研究者在低阻掺硼 电池的研发，但要想进一步提高电池效 的p 型衬底上通过优化注入条件，制备出 率，必须转向利用 n 型电池，因为 n 型衬 了开路电压高达 0.645V 的注磷发射极太 底来制备晶体硅太阳电池具有诸多的好 [2] [7] 阳电池 。在 1984 年，有文献报道了 AM1 处 。国际国内的一些高效 n 型电池大部 + + 光照条件下，n -p-p 结构全离子注入离子 分采用扩散的方式形成发射极，并且采用 注入电池效率达到 18%[3] 。所有这些研究 均匀的前结或插指背结的模式[8-9] 。考虑到 [4] 结果都证明了离子注入技术是适合于做 离子注入技术制备发射极的一些优势 ， 高效太阳电池的，但由于其本身代价昂 有必要研究高质量离子注入硼发射极在 n 贵，生产率低，一直限制了它的进一步发 型太阳电池方面的应用。然而，由于在离 展。直到最近，专门为太阳能光伏电池量 子注入过程中，高能离子对硅片的轰击诱