激光烧结工艺的研究.pdfVIP

第第 14 届中国光伏大会（届中国光伏大会 （CPVC14 ）论文集）论文集 第第 届中国光伏大会届中国光伏大会 （（ ））论文集论文集 激光烧结工艺研究激光烧结工艺研究 激光烧结工艺研究激光烧结工艺研究 刘瑞珉1,2 1,2 1,2 1,2 ，王学孟 ，熊小敏 ，沈 辉 （1.中山大学太阳能系统研究所，广州 510000 ；2.顺德中山大学太阳能研究院，佛山 528000 ） 摘摘 要：对激光烧结工艺进行研究，实验中采用纳秒激光器对要 PECVD 沉积双层钝化膜 摘摘 要要 后丝网印刷 Al 并烧结的表面进行激光点烧结，然后通过激光切割出合适尺寸样品，使 用直排四探针测量平台表征其激光烧结电阻。本文，研究了脉冲频率、单脉冲能量、单 点脉冲数对激光烧结电阻的影响，发现随着单脉冲能量以及脉冲数的增加，点接触电学 性能可以得到最优化值。 关键词：晶体硅电池；激光烧结；关键词 PERC ；纳秒激光 关键词关键词 1 引言引言 空洞[20] ，对电池的电学性能造成一定的影 引言引言 [1] 1984 年，Swanson 等人 ,提出了一种 响，但 LFC 则没有此现象且容易形成良好 BPC(背面局域点接触)结构,在未经过织构 的Local back surface field （LBSF ），同时 化的衬底上制备的 IBC 电池取得了 19.7% 相对于光刻，LFC 工艺过程简便，成本较 的转换效率(88 倍聚光) 。此后的 30 年,背 低。但相对于其他形成方法，LFC 也存在 钝化技术经过了一系列的发展：电池结构 其缺点：为满足产业化，激光平台的稳定 上 主 要 分 为 IBC[2] 、 PERC[3] 系 列 、 性以及处理效率要求较高；激光热损伤较 MWT/EWT[4] 、HIT[5] 四大类；钝化膜材料 大，需要合适的退火工艺配套[21] 。 方面，研究主要集中在 SiO [6] 、SiN [7] 、 2 LFC 点接触模型点接触模型 X x 点接触模型点接触模型 SiC[8] 、α-Si:H[9] 、AlOx[10]这五种；从接触 与其他形成方法不同，ns 激光进行的 形式上，背面结构又可分为点接触[11] 以及 LFC 为瞬态过程，形成机理少见报道。但 线接触[12] ；为了减低成本，制备方法也从 其局域结构已有较明确的研究结果[22-24] 。 原来的光刻[13] ，发展出了各种各样的技 如图 1 所示，点接触区域从中心往外，可 术，包括机械或者激光开膜后金属化[14] 、 以分为三个区域：A 高掺杂Al 的Si 区域 B 局域印刷 fired-through 浆料与背电极浆料 钝化膜区域 C 丝网印刷 Al 区域。其中 A 一同烧结[15] 、通过提供局域高温形成电极 区域导电性能很好，而A 区与 C 区之间的 接通 [16] 等。而激光烧结（ Laser-fired 导通主要取决于 B 区表面的成分，源自于 [17-19] contacts ：LFC ） 则为以提供局域高温 A 区的材料沉积在B 区之上可以形成良好 为理念基础的一种工艺。开膜后金属化的 的导电桥梁。其可能的大致形成机理：（1） 技术，在丝网印刷的前提下容易形成局域 激光脉冲