光学光刻技术的历史演变.pdfVIP

维普资讯 IC制造工艺 · 电 字 工 业 董 用 设 备 · 光学光刻技术的历史演变 马建军 (长庆实业集团有限公司，西安 710021) 摘 要：简要回顾 了光学光刻技术的发展历程 ．从 IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面 讨论 了光学光刻技术的发展趋势及进入 32am技术节点的可能性。 关键词：光学光刻；缩小步进光刻；步进扫描光刻；浸没式光刻；双重图形光刻 中图分类号 ：TN305．7 文献标识码：A 文章编号 ：1004—4507(2008)04—0028—05 TheHistoryEvolvementofOpticsLithography MAJian-jun (ChangqingIndustryLtd．Co，，XiAn710021) Abstract：Thedevelopmentcoursoflithographyisreviewedinthispaper，thetrendofopticslithogra— phyandthepossibilityofitenter32nm nodearealsodiscussedwiththechallengeforopticslithography technicnodedemand、 Keywords：OpticsLithorgaphyStepper；Scanner；Immersionlithorgaphy；DualExposure 1 引言 到 193nlTl的ArF准分子光源，技术上跨越了1 m、 1970 1980 1990 2000 光学光刻作为推动半导体制造技术的关键工 蔷 “ ； 丢 。 。蒜 盏 艺一直以来备受业界的关注 。近年来，随着器件尺 寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸 没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高 的分辨率为业界所青睐。 30多年以来 ，集成电路技术的发展始终是随着 光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的 驱动下，光学光刻技术经历了接触 ／接近(Aligner)、 等倍投影、缩小步进投影 (Stepper)、步进扫描投影 (Scanner)曝光方式的变革(见图l所示)，曝光波长由 436nm的h线向365nm的i线、继而到248nm的KrF 接触式曝光一接近式曝光一步进式．扫描式 收稿 日期 ：2008．03．24 图 1 光 学光刻的进展 维普资讯 | 电 子 工 业 毫 用 设 备 · IC制造工艺 · 0．5 m、0．35 m、0．1 m、90nnl、65nm、45nnl等节 由于器件单元不同，存储器与逻辑 IC芯片的 点。光刻技术始终为摩尔定律的不断向前推进而孜孜 关键曝光层有着迥然不同的特征和光刻容差 ，这便 不懈地努力着，目前已迈向了32nn]节点的开发阶段。 对给定的光刻系统提出了不同的性能要求和实用 限制。图4给出了几种不同器件的图形特征和对光 2 IC微缩化趋势及其对光刻 的要求