光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器的原理与应用.pdfVIP

维普资讯 2008年7月 重庆师范大学学报(自然科学版) July2008 第25卷 第3期 JournalofChongqingNormalUniversity(NaturalScience) V01．25 No．3 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器的原理与应用 陈柏众，戴特力 (重庆师范大学 物理学与信息技术学院，重庆 400047) 摘 要：光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS—VECSEL)是二极管泵浦的多量子阱增益介质半导体激光器。近 年来，光泵浦垂直外腔面发射激光器作为半导体能带工程的新成果，在理论和实验方面均取得了令人触 目的进展。 该器件具有较高的输出功率、卓越的光束质量和紧凑的结构。薄片式的激活介质避免了棒状介质的热透镜效应，周 期性共振增益(PRG)结构提高了多量子阱内的受激辐射截面，分布布拉格反射器(DBR)减少了谐振腔的损耗。相 对于晶体棒作激活介质的固体激光器来说，这种新型激光器可以通过半导体能带工程提供更加广泛的波长选择范 围。它克服了电泵浦边发射和电泵浦面发射半导体激光器的限制，可以提供近衍射极限的基模或TEM。模 的圆形光 斑 。 关键词：光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器；周期性共振增益结构；分布布拉格反射器；电泵铺面发射半导体激光 器；边发射半导体激光器 中图分类号：TN248．4 文献标识码 ：A 文章编号：1672—6693(2008)03—0062—05 近几年来，一种半导体前沿技术发展的新成果， 束整形，才能耦合进光纤。电抽运的垂直腔面发射 光泵浦垂直外腔面发射激光器 (OpticsPumping 激光器(VCSEL)，可以输出圆形单横模的光束，功 SemiconductorVerticalExternalCavitySurfaceEmit— 率低于 10mW；多模输出，功率可大于 100mW。 tingLaser，OPS—VECSEL)已引起许多发达 国家的 光泵浦的VECSEL就是在克服上述缺点的过程 重视。在一些具有国际水平的实验室，该器件的理 中逐步完善的。 论和实验均取得 了令人瞩 目的进展。该器件是 20 1OPS—VECSEL的增益材料和激光器 世纪9O年代末期发展起来的新技术，它兼顾了二极 管泵浦固体激光器 (DPL)和电泵浦垂直腔面发射半 1．1OPS—VECSEL的增益材料制作 导体激光器 (VCSEL)的优点，是半导体激光技术中 OPS—VECSEL的增益材料是在 GaAs衬底材料 的新型器件。因其较高的功率密度，紧凑的几何结 上外延生长的。图1按生长顺序由下而上地表示出 构和良好的光束质量，受到了激光产业界的关注…。 芯片的结构。主体主要分3个部分，即帽层、多量子 大家所熟知的GaAs／GaA1As双异质结激光二 阱共振周期增益区(RPG)和分布布拉格反射镜 极管，即边发射窄条激光二极管(LD)，单条单横模 (DBR)。对 泵浦 波长 为 808nm，工 作波 长约 输出时只能达到0．4W，发射光束为像散高斯光束， 980nm的OPS—VECSEL而言，在 GaAs衬底上先外 快轴发散角约5O。，慢轴发散角约 1O。。用光刻的方 延生长 DBR，即布拉格反射镜。这是在 GaAs衬底 法让几个窄条 LD排成宽 120 m的发射区，腔长 上生长3O对 1／4波长厚度 的A1As／GaAs交替结构形 1mm时，单横模输出可大于2w，输 出光束也是像 成的。对于所选择的波长反射率要求达~J199．5％。 散的。4O～8Ow 的大功率二极管条 (LDbar)是由 对于常规的DBR，从折射率高的介质到折射率低的 13，19，25或49个 120txm发射区构成的线阵，发光 介质相位无变化，相反从折射率较低的介质到折射 孔径 1mm×0．1mm。这种线阵光源的快、慢