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第 37卷第 11期 光 子 学 报 Vo1．37No．11 2008年 l1月 ACTA PHOTONICA SINICA November2008 光学厚度对一维三元光子晶体禁带特性的影响 陈海波 ，高英俊。，韩军婷 (1茂名学 院 理学 院，广 东 茂名 525000) (2广西大学 物理科学与1一程技术学院，南宁 530004) 摘 要：运用光学传输矩阵理论，研究了一维三元光子 晶体的禁带特性．数值模拟结果表明：最高折 射率和最低折射率介质的光学厚度明显地影响其绝对禁带宽度 ，而较 高折射率介质的光学厚度对 其相对禁带宽度影响较大．与二元光子晶体相 比，三元光子晶体的绝对带宽和相对带宽都远远大于 二元 光子 晶体． 关键词：光学厚度 ；三元光子 晶体 ；绝对禁带宽度；相对禁带宽度 中图分类号：0431 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4213(2008)ll一221O一3 0 引言 一 维三元光子晶体模型 从 Yablonovitch和 John分别在 1987年提 出 一 维三元光子晶体结构如图 1．此结构 的光子 光子晶体概念以来 】，人们对光子晶体进行了深 晶体是 由介质A、B、C周期h-l~N 而成．设 A、B、C介 入的研究．它是具有光子频率禁带的特殊材料 ，落在 质 的折射率分别为 、，?h和 ”。，对应的厚度分别为 禁带中的光被禁止传播．利用光子晶体的这一特性 d 、d：和 。．由薄膜光学理论得 出透射率和反射率 人们可 以控制光子 的运动，导致许 多奇特物理效 公式分别为 应 【．相对而言，由于一维光子晶体带隙材料制备 简单 ，人们还是希望通过一维光子晶体的制备获得 所需要的带隙特征．一维光子 晶体能带结构的研究 主要集中于禁带宽度．评价禁带宽度一般有两种方 式 ：一种是通过计算禁带的绝对带宽 ，即禁带上下边 界的差值 ；另一种则是计算绝对带宽和禁带 中心的 图 1 一 维三 兀光 子 晶体模 型 比值 ，即相 对带宽．由于光子 晶体 的标 度特性 Fig．1 Modelof1D threeelementphotoniccrystal (scalingproperty)【，‘改变光子晶体的周期 只会 引 反射率 起禁带中心和绝对带宽 的变化，而禁 带的相对带 宽 R— Irl ， (1) 是确定不变的．凶此相对带宽给光子 晶体的设计提 透射率 供了一个标度 ，能够对 不 同结 构 的禁 带性能做 出 T一 1一R (2) 评估． 式 中r为一维三元光子晶体的反射系数． 目前研究一维光子晶体的方法最常用的是传输 矩阵法 ，研究大都集中于一维二元光子晶体 ，对 2 数值模拟结果及分析 一 维三元光子晶体的研究甚少．本文把传统处理一 计算中取材料 A 为折射率 =4．11的Si，材 维二元光子晶体的传输矩阵理论进一步扩展 ，用于 料 B为折射率 一2．96的TiO ，材料 C折射率为 研究一维三元光子晶体 的禁带特性．发现三元光子 =1．3O的氟化钠．整个光子 晶体的结构处在空气 晶体的绝对带宽和相对带宽均大于二元光子晶体． 环境中，入射波为 TE平面波 ，且垂直于介质表面入 为实验获得所需要的绝对带宽和相对带宽的光子晶 射．忽略介质的色散和吸收并且