电力电子技术-第一章第六七节.pptVIP

本章小结 主要内容 介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 集中讨论电力电子器件的驱动、保护。 本章小结 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 电流驱动型：双极型器件 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大，驱动电路较复杂。 本章小结 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV/3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压场合，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现代电力电子发展的一个共同趋势。 * 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。 对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务： 将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。 对半控型器件只需提供开通控制信号。 对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 2 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 图1-25 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 3 按照驱动信号的性质，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可以是分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 分类 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 4 1.6.2 晶闸管的触发电路 晶闸管的触发电路作用 产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 晶闸管触发电路应满足下列要求： 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 I I M t 1 t 2 t 3 t 4 图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 5 V1、V2构成脉冲放大环节。 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。 ?V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 图1-27 常见的晶闸管触发电路 常见的晶闸管触发电路 1.6.2 晶闸管的触发电路 6 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1) 电流驱动型器件的驱动电路 t O i b 图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 GTR驱动电路应满足下列要求： 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 7 贝克箝位电路 图1-31 GTR的一种驱动电路 GTR驱动电路包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 8 为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻，可以减小寄生振荡。 2) 电压驱动型器件的驱动电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电压驱动型器件的驱动电路应满足下列要求： 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 9 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 (1) 电力MOSFET的一种驱动电路 电气隔离和晶体管放大电路两部分 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M5791