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复合半导体桥的电爆特性 7 文章编号 ：1006-9941(2015)01-0007-06 复合半导体桥 的电爆特性 徐 兴，张文超，秦志春，邓吉平，王 军，徐振相，周 彬，彭金华 (南京理_T-大学化_T-学院，江苏 南京 210094) 摘 要 ：针对半导体桥小型化带来 的点火可靠性 问题 ，制备 了复合半导体桥 ，采用高速存贮示波器对其在22 F电容不 同充 电电压 下的电爆过程进行 了研究，并与多晶硅半导体桥的电爆性能进行 了对 比。结果显示 ：在 电爆过程爆发前，复合半导体桥和多晶硅 半导体桥 的电爆过程基本一致 ；爆发后特别是在高压时(50V)，与多晶硅半导体桥相 比，复合半导体桥上电流下降缓慢 ，爆发所需 时间稍偏长 ，作用于等离子体上 的能量稍多；爆发后 3 s内，复合半导体桥作用于等离子体上的能量增加较多 ，因此复合半导体桥 点火可靠性更高 。复合半导体桥上金属薄膜 的存在是造成上述结果差异的原因。 关键词 ：军事化学与烟火技术 ；电爆装置 ；半导体桥 ；点火起爆 中图分类号 ：TJ55；O69 文献标志码 ：A DOI：10．11943 issn．1006—9941．2015．01．002 Benson 于 1990年发明了钨 ／硅半导体复合桥 ，它在 1 引 言 未掺杂的多晶硅桥上沉积一层钨形成钨 ／硅半导体复 合桥 。其作用原理为：当桥上通电流时，首先大量电流 半导体桥火工品的诞生是电火工 品一次革命性 的 主要从钨桥上流过 ，钨桥上 电阻增加 ，电流减小，而硅桥 飞跃 ，它具有高瞬发度 、高安全性 、低 发火能量 以及能 上电阻迅速减小 ，电流增加，最后硅被汽化形成等离子 与数字逻辑 电路组合等优 点… ，与传统的桥丝式点火 体放电。Bernardo 和前 田繁 等发 明了多层金属半 系统相 比，将智能电子 、保险和发火电路集成在起爆器 导体复合桥 ，它由硅或蓝宝石基片、重掺杂多晶硅层 、 上 ，再加上半导体桥火工 品点火性能的优越性 ，使起爆 钛 ／钛一钨 ／钨 (Ti／Ti—W ／W )复合层构成。Ti／Ti—W ／W 器在体积 、重量 、功率和功能上都具有更多的优势 ， 复合层均采用金属溅射技术，不存在退火过程 ，因此该 因此半导体桥火工品已成为微型点火和传爆序列芯片 器件克服了硅钨桥 中因使用钨层退火而引起的氧化 问 的研究和应用领域研究的热点。 题。Bernardo等。。在 Benson的基础上发 明了钛金 半导体桥火工品的核心是半导体桥芯片 (以下简 属半导体复合桥 ，将钨层用钛代 替，由于钛 的熔点为 称半导体桥)，其结构和性能直接影 响半导体桥火工 1660K，低于硅蒸发时的温度 ，在硅层蒸发前就 已经 品的性能。半导体桥是指利用微 电子制造技术使一种 熔化 ，另外 ，钛层受热时还可以与环境中的氧气和氮气 或多种金属或其它材料有控制地沉积于基底上形成的 等发生放热反应 ，进一步提高半导体桥 的点火能力。 单层或多层半导体膜 (或金属半导体复合