Si纳米线的制备方法器件应用.pdfVIP

第}。【rq届令丽凝聚态光学性质学术研讨会(oPCM’2008)论文集 Si纳米线的制备方法与器件应用 x．W．Zha01，彭英才2，范志东2，白振华2 、1Depnrtment巧Physics。％kyoUniversily西Sc{ence。Tokyo．Jnp矾 2)河北大学电子信息工程学院，保定071002 摘要Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一准半导体光电信息材料，在场效应器件、单电子 存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应 用。本文以气．液一固(VLS)生长机制为主线，介绍了Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长方 法以及器件应用，并指出了该研究今后的发展方向。 关键词：Si纳米线；气．液．固生长；金属催化生长；氧化物辅助生长；光电器件应用 1．引言 近年，Si纳米线及其阵列的制备方法、结构表征、物理性质以及新型器件应用的研究，已经成为Si 基纳米材料科学与技术领域中一个新的热点课题。人们之所以对Si纳米线的研究广泛关注，是由于它们 具有许多显著不同于其他低维半导体材料的电学、光学、磁学以及力学等新颖物理性质，这使其在场效 应器件、单电子存储、光探测器件、纳米传感器和高效率发光器件中具有潜在的应用。迄今，已采用各 种方法制备了具有不同直径、长度和形状的高质量Si纳米线，并利用各种表征技术对其结构特征进行了 检测分析。就制备方法而言，目前主要有热化学气相沉积(口D)，低压化学气相沉积(LPCvD)、等 固(SLS)法等。本文简要介绍了Si纳米线的制备方法与器件应用。 2．Si纳米线的金属催化生长 研究指出，Si纳米线的生长与Si纳米晶粒和量子点的形成不同。后者只需衬底表面具有合适密度与 尺寸的成核位置，而前者除了具备上述条件外，还需要同时满足线状结构的生长规律与特点，因此工艺 技术要求更加严格。人们从实验中发现，如果能够利用某一种催化剂进行诱导，使纳米点或团簇在催化 剂的定向驱使作用下按一定取向生长，预计可以形成纳米线及其阵列结构。2000年以来，大量的研究报 道指出，以不同金属作为Si纳米线合成的催化剂，利用VLS机制可以实现在Si晶体表面上Si纳米线的 成功生长。 目前，作为制备Si纳米线的主流工艺应首推采用金属催化的VLS生长技术。这种方法的主要工艺步 骤是，首先在Si衬底表面上利用溅射或蒸发等工艺沉积一薄层具有催化作用的金属(如Au、Fe、Ni、 Ga或A1等)。然后进行升温加热，利用金属与Si衬底的共晶作用形成合液滴。该液滴的直径和分布与 的气相输运或固体靶的热蒸发，使参与si纳米线生长的原子在液滴处凝聚成核。当这些原子数量超过液 相中的平衡浓度以后，结晶便会在合金液滴的下部析出并最终生长成纳米线，而合金则留在其顶部。也 就是说须状的结晶是从衬底表面延伸，并按一定方向形成具有一定形状、直径和长度Si纳米线的。 ’采用金属催化的VLS生长机制合成Si纳米线的主要优点是工艺简单，只要合理控制催化作用的金属 层厚、合金液滴的尺寸以及纳米线生长条件，便可以制备直径细达～20nm和长度为数微米的Si纳米线。 而这种方法的主要不足是，由于金属催化剂的采用会对纳米线的生长造成…定程度的污染。此外，纳米 线生长起始位置的准确控制尚有一定难度。 3．Si纳米线的氧化物辅助生长 43 第’f‘四属伞围凝聚态光学性质学术研讨会(0PcM’2008)论文集 氧化物辅助生长(oxide．assisted 方法。近年来，研究人员以Si氧化物为原料，采用激光烧蚀和直接热气相法，以OAG机制成功合成了 Si纳米线。利用这种方法，不仅可以实现高质量本征Si纳米线的生长，而且还．口J．以制备掺B、P和Er的 掺杂纳米线。对于激光烧蚀Si和Si02粉体合成Si纳米线的情形，首先是Si氧化物气体开始沉积并形成 了含有Si纳米粒子的基体，然后si氧化物排出si核后形成了无定形Si氧化物外壳层，而Si在纳米线内 部不断重新结晶，使得纳米线在其尖端以较快速率生长并形成了纳米线，而在生长较慢的方向则形成了 纳米粒子链。进一步的分析指出，Si纳米线的生长由以下4个因素所决定：1)在纳米线生长端的Si。O层 的催化作用；2)纳米线的外层由SiO分解出的Si02组成，它阻止了纳米线在非一维方向上的生长。3) 产生在