高效率低成本硅薄膜太阳电池的开发和应用.pdfVIP

第第 14 届中国光伏大会（届中国光伏大会 （CPVC14 ）论文集）论文集 第第 届中国光伏大会届中国光伏大会 （（ ））论文集论文集 高效率低成本硅薄膜太阳电池的开发和应用高效率低成本硅薄膜太阳电池的开发和应用 高效率低成本硅薄膜太阳电池的开发和应用高效率低成本硅薄膜太阳电池的开发和应用 谭学仕，毛炳雪，张 峰，杨晶晶 （湖南共创光伏科技有限公司，湖南衡阳 421005 ） 摘摘 要：要：硅薄膜太阳电池的产业化应用方面，目前的重点是如何获得高效率且低成本的 摘摘 要要：： 生产工艺并尽可能降低光致衰减效应，从而有效降低系统集成 BOS 成本。本文将结合 我们在此领域所作的开发和应用来简要介绍，重点说明在 a-Si:H/uc-Si:H 双结叠层电池 的非晶本征层、中间反射层、微晶本征层等膜层优化上所取得的进展。将这些成果应用 在工业化生产线上，我们获得光电转换效率高至 10.2%的低成本硅薄膜太阳电池。 关键词：关键词：PECVD ；Si:H 键；光致衰减；选择性反射；晶化率 关键词关键词：： 1 引言引言 体增强化学气相沉积）工艺来获得更高质 引言引言 近年来，太阳电池产品的制造成本不 量的非晶本征吸收层将能明显降低硅薄 断下降，光伏应用中 BOS 成本所占的比 膜电池的光致衰减效应；对于叠层电池， 例逐渐加重。BOS 成本包括了光伏系统建 中间反射层（通常选用 SOIR 中的纳米晶 [4] 设、支架安装、功率调节器和用地等成本。 nc-SiO :H 材料） 的引入能够改善光谱响 x 采用低电压设计的硅薄膜组件能够明显 应并使得减薄衰减大的非晶层的可行性 提升系统串接光伏组件的数量，从而至少 更大，其厚度、折射率、电导性均可通过 降低 3%的BOS 成本；高效率组件则主要 工艺条件优化；对于叠层电池中的底电 从削减逆变器成本中获益，同样能有效降 池，其微晶硅薄膜是由非晶组分、晶粒、 [1] 低 BOS 成本 。尤其是对于安装面积有限 晶粒间界和空洞组成的一种混合相材料。 的情形，采用效率更高的光伏组件显得更 随着工艺参数的改变，微晶硅薄膜的晶化 为重要。 率会发生相应的变化，而不同的晶化率将 大规模产业化中，制造高效率非晶/ 对电池性能产生重要影响，因此对晶化率 微晶叠层结构电池需要考虑如何在提高 的优化成为提高叠层电池效率的重要方 效率的同时控制好硅薄膜电池的光致衰 面[5,6] 。叠层电池的微晶本征层存在最优的 [2] 减效应 ，这是获得有效提升的关键问题。 晶化率，结合膜层质量的改善同样能够提 研究表明，通过 FTIR 来测定吸收层和缓 高光伏器件的光电性能。最近 EPFL-IMT 冲层的红外特性，发现非晶硅的光致衰减 光伏实验室采用 LPCVD 技术开发了一种 与这两者存在密切关系[3] 。对于叠层电池 双层 ZnO 作为透明导电电极（TCO ），从 中的顶电池，通过调整 PECVD （等离子 而使其方块电阻和雾度的调整更能摆脱 237