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電子實習二極體齊納二極體 一、單選題　(?題 每題?分 共?分) ( ) 1. 在P型半導體中，載子的狀況是 (A)只有電洞 (B)只有電子 (C)有多數電子及少數電洞 (D)有多數電洞及少數電子。 ( ) 2. 在本質半導體中，摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？ (A)磷 (B)硼 (C)砷 (D)銻。 ( ) 3. 下列有關二極體特性的敘述，何者不正確？ (A)溫度上升時，切入電壓隨之降低 (B)溫度上升時，逆向飽和電流隨之增加 (C)擴散電容(diffusion capacitance)效應主要是在逆向偏壓時發生 (D)逆向偏壓愈大時，則空乏區電容(depletion capacitance)愈小。 ( ) 4. 下列有關二極體的敘述，何者正確？ (A)在順偏時，擴散電容與流過之電流量無關 (B)空乏區電容隨外加逆向偏壓之增加而減少 (C)當外加逆向電壓增加時，空乏區寬度將減少 (D)在固定之二極體電流下，溫度愈高，則二極體之順向壓降愈高。 ( ) 5. 使用三用電表之電阻檔測量二極體，假設二極體的順向電阻為R1及逆向電阻為R2，若二極體為良好，則下列敘述何者正確？ (A)R1的值非常小，R2的值非常大 (B)R1的值非常小，R2的值亦非常小 (C)R1的值非常大，R2的值非常小 (D)R1的值非常大，R2的值亦非常大。 ( ) 6. ( ) 7. 在室溫下，未加偏壓之PN二極體在PN接面附近的狀況為 (A)P型半導體帶正電，N型半導體帶負電 (B)P型半導體帶負電，N型半導體帶正電 (C)P型及N型半導體皆不帶電 (D)P型及N型半導體所帶之電性不固定。 ( ) 8. 如圖之二極體在流通1 mA電流時，兩端的電壓差為0.7V，若η=1且VT=25 mV，則vD為(計算時可參考底下的自然對數表)： (A)0.7V (B)0.73V (C)0.76V (D)0.79V。 ( ) 9. ( )10. 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體之電性為何？ (A)N型半導體；電子；電中性 (B)N型半導體；電子；負電 (C)P型半導體；電洞；電中性 (Ｄ)P型半導體；電洞；正電。 ( )11. ( )12. 下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？ (A)矽二極體的障壁電壓（barrier potential）較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)溫度上升時，障壁電壓上升 (D)溫度上升時，漏電流上升。 ( )13. 在本質半導體中，摻入五價雜質元素，則成 (A)P型半導體 (B)N型半導體 (C)PN二極體 (D)J型半導體。 ( )14. 在本質半導體加硼則成 (A)P型半導體 (B)N型半導體 (C)J型半導體 (D)I型半導體。 ( )15. P型半導體所加之雜質為 (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價。 ( )16. 障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。 ( )17. PN接面接順向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定。 ( )18. 純半導體中最常使用的材料為鍺(Ge)和矽(Si)，兩者皆為幾價元素？ (A)3價 (B)4價 (C)5價 (D)2價。 ( )19. 下列敘述何者正確？ (A)電源正端接P，負端接N，稱為逆向偏壓 (B)P端接負，N端接正，稱為順向偏壓 (C)外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大 (D)外加順向偏壓時，空乏區的寬度維持不變。 ( )20. 二極體若加順向偏壓則 (A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小 (B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小 (C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加 (D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加。 ( )21. 二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因 (A)多數載子的流動所導致 (B)少數載子的流動所導致 (C)主、副載子同時流動所導致 (D)以上皆非。 ( )22. 所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)無順向電壓降，無逆向電流 (D)順向電壓等於零，逆向電流無限大。 ( )23. 矽二極體比鍺二極體有 (A)較低的切入電壓 (B)較低的PIV值 (C)較寬的溫度範圍