硅材料半导体器件终结端技术的新发展.pdfVIP

第 32 卷 　第 3 期 电 子 器 件 Vol . 32 　N o . 3 2009 年 6 月 　　　 Chinese J our nal Of Elect r on Devices 　　 J un . 2009 Ne w Development of Junction Termination Techniques f or Power Devices Z H A N G Yanf ei , W U Yu , YO U X uel an , KA N G B aow ei ( ) L ab of Pow er S em icon d uctor D ev ices an d I Cs , B eij i ng Uni vers ity of Technology , B eij i ng 100 124 , Chi na Abstract :N ew develop ment of j unction t er mination t echnique s for silicon power semiconductor device s are reviewed includin g t he floating fiel d ring , t he field p lat e , t he j unction t er mination ext en sion , t he variation in lat eral dop in g , “t he Deep Trench ”and t he sup erj unction device s t er mination . N ew t er minatio n st r uc t ure , new p rincip le and new dat a are p re sent ed , al so t heir merit s an d draw back s , and ran ge s of app lica tion . Key words :p ower device s ;j unction t er mination ;break dow n volt age EEACC :2560 硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展 张彦飞 ,吴 　郁 ,游雪兰 ,亢宝位 (北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室 ,北京 100 124) 摘 　要 :综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展 。介绍了场板 、场限环 、结终端延伸 、横向变掺杂 、深槽 、超 结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构 、新原理和新数据 ,并对其优缺点与适用范围进行了说明。 关键词 :功率器件 ;结终端 ;击穿电压 中图分类号 :TN323 . 4 　　 文献标识码 :A 　　文章编号 2009) 　　在电力电子学领域 ,功率半导体器件作为关键 周边 ,是有源区内用于承受外高压的 PN 的附属结 部件 ,其特性对系统性能的实现和改善起着至关重 构 ,而在横向器件中 , 由于承压 PN 结两端的电极通 要的作用 。功率半导体器