自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展.pdfVIP

维普资讯 中国科学院物理研究所成立 80周年 自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展 韩秀峰 (中国科学院物理研究所 磁学国家重点实验室 北京 1oo19o) 摘 要 文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻(GMR)、隧穿磁电阻(TMR)、庞磁电阻(CMR)和反铁磁钉扎薄膜 材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P—N异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取 得的一些重要研究成果和进展．例如：在A1一O势垒磁性隧道结材料体系里，获得室温磁电阻超过 80％的国际最好结 果；获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系；发现具有大的电致电阻效应的CMR薄膜材料，并可期望用于电流直 接进行磁信息写和读操作的磁存储介质 ；发现双势垒磁性隧道结 中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应，以及纳 米器件体系中自旋翻转长度的观测新方法，可用于新型自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计；利用电子 自旋 共振谱探测和研究了金属氧化物的微观 自旋结构和各向异性；在 [CoFe／Pt]磁性金属多层膜中，观测到超高灵敏度 的反常霍尔效应；利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元，研制出一种新型纳米环磁随机存储器MRAM原理型演示 器件． 关键词 自旋 电子学，巨磁 电阻，隧穿磁 电阻，庞磁电阻，磁随机存储器，自旋转移力矩，电子 自旋共振 Spintronicmaterials，physicsanddevicedesigns HAN Xiu—Feng十 (StateKeyLaboratoryofMagnetism，InstituteofPhysics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100190，China) Abstract Recently，intheStateKeyLaboratoryofMagnetism amorphousA1一Obarrierbasedmangetic—tunnel— junctions(MTJs)withring—shapedstructuresandatunnelingmagneticresonanceratioof80％ atroomtempera— tureweremicro—fabricated．HighorderedFePtandantiferromagnetic(Cr25Mn25)Ptsothinfilmswithgoodthermal stba ilitynadhighcoercivitywerealsosynthesized．Largecurrent—inducedresistanceeffectsincolossal magnetic resonancethinfilmswasobserved．A new methodwasdesignedtoobservespinflipscatteringinthennaometer sizedspacerlayerneartheballisticlimitbasedonMTJs．Animportnatfirst—principlesstudyofqunatum well (Qw)statesandQW—resonancetunnelinginthesymmetricepitaxialFe(001)／MgO／Fe／MgO／Fedoublebarrier MTJWas performed．Electronspinresonancespectrawassuccessfullyusedtoinvestigatetheinterlayerexchnage couplingna danisotropicspinsturcturesinlayeredtrna sitionmetaloxides．AnultrahighsensitivityHalleffectWas observed inCoFe／Ptmultilayers viamanipulationofthepeprendiculra inter