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质子引起单粒子效应的机制’ 张庆祥侯明东甄红楼 (中科院近代物理研究所，兰州．730000) 摘要：核能离子在电子器件和光电器件中能够引起一种特殊的辐射效应—一单粒子设应。单粒 子效应是随着集成电路(1k容量)在空间的应用而被发现的。对丁早期的电子器什，质子土要通 过核反应机制间接产生单粒子敬应，当IM以上容量的存储器以及光电器件出现以后，发现质子的 鼍堡皇寒坦匿整三嚏强断塑堕!—惆此了蟹引起戢子效应的主要机制，并据此盒理安辑实验必爨 进{I直钍对盐的加舄措施蔗1-常必要的√4本文从质子与物质相互作用的基本机制(弹性碰撞、非弹 ，性碰撞以及直接电离)出发，分析了各种机制对单粒子效应的贡献．为开展质子单粒f效戍研究提 供参考。 关键词：质子单粒子效应核反应弹性散射直接电离 引言 1975年，Binder等人提出地球同步轨道通信卫星的一部分异常现象是宇宙线是宁亩线重离子 与晶体管的敏感区相互作J{=|，产生的电子空穴对使J．K触发器逻辑状态翻转造成弁勺。他们舟勺r作开辟 Woods发现了封装材料 了r空间辐射破应一个新兴、活跃的领域——单粒子效应。1979年，May乖|I 中放射性杂质放出的。离子能够使DRAM发生翻转，这使人”J认识到，质子通过核反应产生的二 DRAM的 次离子也可能发生类似的效应。McNulty等人在Harvard同旋加速器用高能质子照射4-k 实验结果表明地球俘获带中的高能质子也能够引起单粒子效席(SEE)．随着新型电子器件和光电 器rJ：盘空间环境的应Ⅲ，除了单粒子翻转，还发现质1j引起多位翻转以及破坏性单粒子敛廊：如单 的持续缩小以及1．作电乐的降低，发生翻转的临界电荷减小，近年来发展j卫谜神光电器f1也具有很 低的临界电荷，研究表明在这些器件中，质子可以通过直接电离可能产生SEE，从而限制了先进的 电子器11：car光电器件在空间环境的应用。质子对器件的影响，除了单粒子效应，还有位移损伤和总 嗣量效戍，这些设庖同时作jLIj，会使问题更加复杂。因此研究质子引起单粒子效应的各种机制，并= 确定在特定器ri：中的土要机制，对丁器件敏感度评估和采取加固措施都具有重要意义。 质子与靶材料的相互作用的各种机制 I． 质子与靶材科原子中援外电子发生菲弹性碰撞 质子与靶原f核中核外电子的1|弹性碰撞，导致原子的澈发或电离，是质子穿过物质时损失能量 的主要方式。这种相且作}{{方式被称为电离损失，或电子碰撞能量损失离子使物质电离的能力用电 子能损来颦度。考虑激友雨l电离的共同贡献．贝特等人给出的电子阻止本领表达式如式(1)所示： 足；(一舄。咖著-nP∽ ㈩ 其中l为靶电子平均激发能，在入射离子速度接近ⅦzII／3(v。为玻尔速度)，S。有极大值，称为 K,1952-SI·423) ’摹台项1：1：国家口然科学罐金顺t：l(I9775058)：中国科学院“儿五”重点项目t 工舶 Bragg峰。对丁给定靶材料，峰值是入射离子原子序数的函数。质子直接屯离的能力很弱，在Si中 的LET值最太为0．5 子LET值随能量的变化关系。 图1质子LET_～能量曲线 对丁一般的器什，质子通过直接电离沉积的能量不足以产生SEE，只有对临界电荷很小的器 件(LET阈值小r 够引起单粒子效戍。值得特别指出的是不能困为质子的LET值小就轻易忽略直接电离对单粒子效应 的贡献，LET反映的是能昔沉积的统计平均值，由于统计涨落．质子沉积的能量可能超过平均值， 甚至可以高一个数量级，当器件的翻转LET阚值与质子的LET值接近时．一部