硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备应用.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池） 硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用 硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用 李辛毅 李辛毅 韩培德韩培德 高利朋高利朋 胡少旭胡少旭 范玉杰范玉杰 梁鹏梁鹏 邢宇鹏邢宇鹏 叶舟叶舟 李辛毅李辛毅 韩培德韩培德 高利朋高利朋 胡少旭胡少旭 范玉杰范玉杰 梁鹏梁鹏 邢宇鹏邢宇鹏 叶舟叶舟 （北京市海淀区清华东路甲35号，中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 100083） 摘要-摘要-利用硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远， 摘要摘要-- 高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著，高浓度深能级中心波函数相互交叠，载流子可 以在深能级之间做共有化运动，在禁带中形成杂质能带的材料特性制备杂质带光伏太阳能电池。采 15 2 用高能离子注入的方法在晶体硅衬底中掺入剂量为 6× 10 /cm 的硒元素，使掺杂浓度远远超过硒在 16 3 硅中的杂质固溶度（3× 10 /cm ）。在氮气环境下，采用 1000℃,快速热退火 10s，消除离子注入引 入的晶格损伤。在迎光面 n 型掺杂层上蒸钛/钯/银电极，背光面 p 型衬底上蒸镀铝电极。所制备电 2 池开路电压为 462mV ，短路电流密度为22.4mA/cm ，填充因子为52.1%，电池效率为5.2%。 关键词：关键词：晶体硅太阳电池；硒过饱和掺杂；杂质带太阳电池；深能级杂质光伏效应 关键词关键词：： 1 引言引言 晶体硅太阳电池的技术途径之一。 引言引言 位于硅带隙中的深能级是最有效的载流子复 本文采用高能离子注入技术在p 型硅衬底上注 合中心，对光生载流子具有很大的复合效应，减小 入远远超过杂质固溶度的硒元素。晶格修复和杂质 载流子的寿命，进而严重影响电池效率。所以，在 激活采用在氮气氛围下 1000℃，10 秒的快速红外 晶体硅太阳电池的制备中深能级杂质被认为是有害 热退火。在离子注入之前采用化学湿法腐蚀的制 而需要极力避免的。然而，当深能级杂质的掺杂浓 绒方法在硅衬底的表面制备了减反射膜。退火后 度足够高，高浓度深能级中心波函数相互交叠，载 在硒注入面蒸镀了钛/钯/银电极，在 p 型衬底面 流子可以在深能级之间做共有化运动时，可以在禁 2 蒸镀了铝电极。电池片被划成面积为 1× 1cm 的 带中形成杂质能带。这种中间带的形成能够有效抑 单元片进行测试。采用 I-V 测试，量子效率谱测 制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命 试和激光束诱导光电流（LBIC ）成像测试方法对 的危害[1-4]。中间杂质带太阳电池可以使晶体硅太 所制备器件的性能进行了验证。 阳电池的效率超过40%，突破 S-Q 理论极限。因此， 2 实验步骤与实验结果实验步骤与实验结果 实验步骤与实验结果实验步骤与实验结果 对中间杂质带太阳电池的研究成为了低成本、高效 2.1 器件制备 器件制备