β-Ga2O3掺Al的电子结构与能带特性研究.pdfVIP

材 料 2014年第12期(45)卷 文章编号 ：1001—9731(2014)12—12102—06 ~-Oa203掺 A1的电子结构与能带特性研究 郑树文 ，范广涵 ，皮 辉 (华南师范大学 光 电子材料与技术研究所 ，微纳光子功能材料与器件重点实验室，广州 510631) 摘 要： 采用第一性原理的平面波超软赝 势方法，对 8一Ga。0。的n型研究 ，XRD显示 w 掺杂 7-Ga。O。能 J3一Ga2O3掺 Al的AIGa2 O3(z一0，0．5，1，1．5，2)合 获得结晶质量好的薄膜 ，但同时发现 J3一Ga。0。掺 w后 金进行结构优化、电子态密度和能带特性 的研 究。结 的光学能隙也变窄，这与 Sn掺杂 t3-GaO。结果类似 ， 果显示，AlGa一O。为间接宽能隙材料 ，能隙是 由导 此外 ，Dakhel等_l8和 Kong等 在开展 Ti和 In掺杂 带底 Ga4s态和价带顶 O2p态共 同决定，其弯曲系数 J3一Ga。0。的研究 中，也发现 l3一Ga。0。掺 Ti或 In后 的 分别为 0．452eV(直接 )和 0．373eV(间接)。当增 大 光学能 隙也变得 更小 。这些 能 隙变小 的结果 使 Al的掺杂量，AlGa： O。的体积变小，总能量升 高， 8一Ga。0。材料 的宽能隙优点得不到发挥，也就影响 能隙逐渐增大，这与实验结果相一致 。 G—Ga0。材料在深紫外领域的应用。 关键词： 第一性原理 ；J3一GaO。；A1掺杂，n电子结构 ； 2007年 ，Kokubun教授 。。通过溶胶一凝胶法在蓝 能带特性 宝石 (A1O。)衬底上沉积 了GaO。薄膜 ，在空气气氛 中图分类号： O469；O471 文献标识码 ：A 下对该薄膜进行退火处理 ，得知当退火温度 由600℃ DOI：10．3969／i．issn．1001-9731．2014．12．020 增加到 1200。C时，XRD显示 OaO。薄膜 的晶格常数 在减小 ，吸收光谱揭示该薄膜能隙由4．9eV增大至 1 引 言 5．6eV，但文 中没有对这一变化作解释 。2013年 ， 透明导电氧化物具有透明和导 电的双重特点 ，在 Goyal等 口 采用 PLD 法在蓝 宝石衬底上 制备 了 太 阳能 电池 、平板显示、光电器件等领域有着广泛的应 Ga0。样品，发现 Oa。0。薄膜经退火后的吸收光谱发 用，一直受到人们的关注。因材料能隙的制约 ，传统透 生蓝移 ，这与 Kokubun教授 的检测结果一致。SIMS 明导电氧化物 (ITO，SnO。等)对紫外和深紫外的光有 的结果显示 ，Ga0。薄膜在高温退火过程中衬底 中的 强吸收，所 以限制 了它在短波长领域 的发展。单斜 Al元素掺进 Ga0。中，可能形成 A1Ga一0。结构 。 — Ga：O。是一种宽禁带半导体材料 (E ===4．9eV[1)， 为此作者认为 Al的掺入是造成 Ga。0。薄膜吸收谱蓝 具有 良好物理化学特性 ，比GaN和 ZnO材料有更大 移的原 因，但文 中并没有分析 Al掺入浓度与 Ga0。 能隙，可望用于制作波长更短的新型光电器件_l2]。 吸收谱蓝移的具体关系。所以Al的掺入量对 Ga0。 OaO。材料有多种相结构，但只有 f3相能在低温 材料 的吸收谱蓝移和其它性能的影响还有待进一步研 至高温稳定存在 。本征 B—GaO。材料的导 电性 能差 ， 究。如果 Al掺杂能增大 Ga0。材料 的能隙，那么 制约其用作透明导电材料 。为了改善 J3一GaO。材料的 Ga0。材料就可以用于更短波长器件作透明窗 口或电 导电性