掺杂ZnO光催化剂研究进展.pdfVIP

2014年 3月 工 业 催 化 Mar．2O14 第22卷 第3期 INDUSTRIALCATALYSIS Vo1．22 No．3 掺杂 ZnO光催化剂研究进展 秦祖赠 ，苏通明 ，蒋月秀 ，刘瑞雯 ，刘 自力 (1．广西大学化学化工学院，广西 南宁530004； 2．广州大学化学化工学院，广东 广州 510006) 摘 要：ZnO作为半导体光催化剂，具有无毒性、高效性和低成本等优点得到广泛研究。但是ZnO 禁带宽度较宽，为3．37eV，仅能吸收紫外光，而且光生电子和空穴较容易复合，在太阳光照射下， 表现出较低的光催化活性，不能满足工业应用要求。对ZnO进行改性能够提高ZnO对可见光的利 用率及光催化活性。其中，对ZnO进行掺杂能够有效改变光催化剂的比表面积、颗粒大小和光催 化活性等性质，适当引入一些金属或非金属离子有可能使催化剂对光的吸收